[发明专利]存储器刷新处理方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及数据存储技术，尤其涉及一种存储器刷新处理方法和装置。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是易失性存储器，常作为系统内存。DRAM由多个二维存储单元阵列构成，二维存储单元阵列中的每个存储单元包括一个晶体管和一个电容。二维存储单元阵列中的每一行称为存储行，每个存储行包括多个存储单元。DRAM利用电容所携带的电荷来存储数据，事实上电容所携带的电荷每过一段时间就会丢失，进而造成存储数据的丢失，从而需要对DRAM的存储行进行周期性刷新操作，以对存储行中的电容进行电荷补充。但对DRAM的全部存储行以固定的周期进行刷新操作，会增加DRAM的能耗，减少使用该DRAM的设备一次充电后的使用时间。

现有技术中，通过对DRAM的每个存储行设置一个计数器，计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时长进行计时，若该时长大于预设的刷新周期，则对该行进行刷新。但由于现有技术中的刷新方法，需要对DRAM的每一行设置一个计数器，存储器刷新处理的成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器刷新处理方法和装置，用于避免对DRAM的每一存储行设置一个计数器，降低存储器刷新处理的成本。

第一个方面是提供一种存储器刷新处理方法，包括：在动态随机存储器DRAM的各个存储区域中，根据待存储的目标数据的关键级别和各个所述存储区域的数据保持时间，选择用于存储所述目标数据的目标存储区域；所述关键级别用于指示所述目标数据的重要程度，所述存储区域包括至少一个存储行；将所述目标数据存储到所述目标存储区域；根据所述目标存储区域的数据保持时间和所述目标数据的关键级别确定刷新时间间隔，按照所述刷新时间间隔对所述目标存储区域进行刷新。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述关键级别为高或低；相应地，所述在动态随机存储器DRAM的各个存储区域中，根据待存储的目标数据的关键级别和各个所述存储区域的数据保持时间，选择用于存储所述目标数据的目标存储区域，包括：若所述目标数据的关键级别为高，则在所述DRAM中的能够存储所述目标数据的各个存储区域中，选择数据保持时间最长的存储区域作为所述目标存储区域；若所述目标数据的关键级别为低，则在所述DRAM中的能够存储所述目标数据的各个存储区域中，选择数据保持时间最短的存储区域作为所述目标存储区域。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述若所述目标数据的关键级别为高，则在所述DRAM中的能够存储所述目标数据的各个存储区域中，选择数据保持时间最长的存储区域作为所述目标存储区域，包括：从所述DRAM的各个存储区域中，获取空闲存储空间不小于所述目标数据的数据量的各个存储区域；在获取的空闲存储空间不小于所述目标数据的数据量的各个存储区域中，选择数据保持时间最长的存储区域作为所述目标存储区域。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述若所述目标数据的关键级别为低，则在所述DRAM中的能够存储所述目标数据的各个存储区域中，选择数据保持时间最短的存储区域作为所述目标存储区域，包括：从所述DRAM的各个存储区域中，获取空闲存储空间不小于所述目标数据的数据量的各个存储区域；在获取的空闲存储空间不小于所述目标数据的数据量的各个存储区域中，选择数据保持时间最短的存储区域作为所述目标存储区域。

结合第一方面的第一种可能的实现方式、第一方面的第二种可能的实现方式或第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述按照根据所述目标存储区域的数据保持时间和所述目标数据的关键级别所确定的刷新时间间隔，对所述目标存储区域进行刷新，包括：若所述目标数据的关键级别为高，则确定所述目标存储区域的刷新时间间隔小于所述目标存储区域的数据保持时间，按照确定的所述刷新时间间隔，对所述目标存储区域进行刷新；若所述目标数据的关键级别为低，则确定所述目标存储区域的刷新时间间隔不小于所述目标存储区域的数据保持时间，按照确定的所述刷新时间间隔，对所述目标存储区域进行刷新。

结合第一方面、第一方面的第一种可能的实现方式、第一方面的第二种可能的实现方式或第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述存储区域的数据保持时间为所述存储区域所包括的所述至少一个存储行中的最短数据保持时间。