[发明专利]一种含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示材料，尤其涉及一种含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物。

背景技术

液晶显示模式有很多，但广泛应用的是利用液晶的光电效应而实现显示的模式。光电效应实际上是指在加电的情况下，液晶分子的排列从一个状态改变为另一种状态，从而使液晶盒的光电性质发生变化。世界上第一台液晶显示器出现在七十年代初，被称之为TN型液晶显示器(Twisted Nematic，扭曲向列)。八十年代，STN型液晶显示器(Super Twisted Nematic，超扭曲向列)出现，同时TFT液晶显示器(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)技术被提出。TFT就是“Thin Film Transisto”的简称，TFT技术是用薄膜晶体管驱动液晶材料进行显示的技术。

含端氰基的液晶化合物在TN、STN液晶显业中广泛使用，如联苯氰、氟氰酯、端烯、双烯、二环炔、三环炔等单体液晶材料，这些液晶单体的生产工艺流程已经非常成熟，国内也完全可以实现批量供应。但是研究表明，含端氰基的化合物易于引入离子性杂质，电压保持率VHR很低，粘度高，响应慢，光、热等化学稳定性差，这些不利因素限制了该类化合物在TFT-LCD中的应用。酯类液晶具有合成方法简单、种类繁多的特点，而且相变区间较宽，但它有一个很重要的缺点就是，具有较高的粘度，而且化学稳定性较差，导致在TFT-LCD配方中用量大为减少。虽然TFT-LCD同样利用TN型电光效应原理，但是TFT-LCD用液晶材料与传统液晶材料有所不同。除了要求具备良好的物化稳定性、较宽的工作温度范围之外，TFT-LCD用液晶材料还须具备以下特性:

（1）低粘度，以满足快速响应的需要；

（2）高电压保持率，这意味液晶材料必须具备较高的电阻率，一般要求至少大于1012Ω·cm；

（3）较低的阈值电压（Vth），以达到低电压驱动，降低功耗的目的；

（4）与TFT-LCD相匹配的光学各向异性（△n），以消除彩虹效应，获得较大的对比度和广角视野。△n值范围一般在0.07～0.12之间，最好在0.08～0.1左右；

（5）与TN、STN液晶材料不同的是TFT液晶材料对单体的化学纯度要求很高，本体纯度要在99.9%以上。除此之外，各种有机离子和无机离子的种类和数量也需要严格控制，以使TFT-LCD达到更好的现实效果和更长的使用寿命。

作为液晶材料，首先需要具备的是良好的化学和热稳定性以及对电场和电磁辐射的稳定性。而作为薄膜晶体管技术（TFT-LCD）用液晶材料，不仅需要具有如上稳定性外，还应具有较宽的向列相温度范围、合适的双折射率各向异性、非常高的电阻率、良好的抗紫外线性能、高电荷保持率以及低蒸汽压等性能。

对于薄膜晶体管技术（TFT-LCD）应用领域，近年来市场虽然已经非常巨大，技术也逐渐成熟，于此同时，由于液晶材料技术的不断进步，人们对显示技术的要求也在不断的提高，尤其是在实现快速响应，降低驱动电压以降低功耗等方面。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种适用于TFT-LCD显示器、具有高电荷保持率、低功耗、低旋转粘度、快响应速度的含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：

一种含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物，包含按质量百分比计为1%～40%的通式I所示的化合物、按质量百分比计为1%～40%的通式II所示的化合物、按质量百分比计为5%～70%的通式III所示的化合物、按质量百分比计为1%～60%的通式IV所示的化合物、按质量百分比计为0～20%的通式V所示的化合物、按质量百分比计为0～20%的通式VI所示的化合物；并且所述液晶组合物中通式I～通式VI所示的化合物的质量百分比之和为100%，另外还添加按质量百分比计为0～0.5%的所述通式I～通式VI所示的化合物的质量之和的旋光性化合物，

其中，

R₁、R₃、R₉、X₆、X₉是下述①～④中所列基团中的任意一种：