[发明专利]绝缘电线以及使用其的线圈无效
| 申请号: | 201310228779.8 | 申请日: | 2013-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN103489511A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
| 发明(设计)人: | 本田佑树;牛渡刚真;锅岛秀太;菊池英行 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
| 主分类号: | H01B7/02 | 分类号: | H01B7/02;H01B3/30 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘 电线 以及 使用 线圈 | ||
技术领域
本发明涉及一种包括由不含脂肪族的聚酰胺酰亚胺构成的聚酰胺酰亚胺层的绝缘电线、以及使用其的线圈。
背景技术
近年来,伴随着电气设备的小型化、高性能化,开发了各种用途的电动机用绕线。
例如,对于变频调速电动机而言,由于使用环境而预想为在高温下连续使用,因此作为提供给变频调速电动机的电动机用绕线,要求耐热性高。
于是,作为耐受高温下的连续使用的电动机用绕线,具有由聚酰亚胺构成的绝缘层的漆包线(以下称为绝缘电线)进入市场。该绝缘电线在长期的高温热劣化以后也维持高可挠性和绝缘破坏特性,因此被广泛用于电动机用绕线的用途。
另一方面,在线圈成型时,需要将由电动机用绕线形成的线圈插入狭槽内的操作,但是会由于该线圈插入而在绝缘层的表面(以下称为被覆表面)产生损伤,因此要求对其进行抑制。
作为耐磨损性优异、在线圈成型时不易发生由于线圈插入而导致的被覆表面的损伤、具有充分的加工性的电动机用绕线,存在具备由聚酰胺酰亚胺构成的绝缘层的绝缘电线,该聚酰胺酰亚胺由偏苯三酸酐和二环己甲烷4,4’-二异氰酸酯合成。
作为构成绝缘层的聚酰胺酰亚胺,已知含有具有3个以上苯环的芳香族二异氰酸酯成分作为单体、每个重复单元的分子量与酰胺基和酰亚胺基的平均个数的比率为200以上的聚酰胺酰亚胺(例如,参照专利文献1)。通过由该聚酰胺酰亚胺构成绝缘层,能够降低绝缘层的介电常数、提高局部放电起始电压。
另外,存在通过使芳香族三羧酸酐与2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)或双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜(BAPS)以其比率为100:50~100:80的氧成分过量的状态进行反应、然后使二异氰酸酯反应的2阶段反应而制造的聚酰胺酰亚胺(例如参照专利文献2)。通过由该聚酰胺酰亚胺构成绝缘层,能够提高绝缘层的耐热性、机械特性。
另外还存在如下的聚酰胺酰亚胺,该聚酰胺酰亚胺是在使二异氰酸酯和由二胺化合物与偏苯三酸酐反应而得到的含酰亚胺基的二羧酸反应时含有芳香族二胺作为二胺化合物来制造的,其中,该芳香族二胺是具有2个芳香环的二胺,且2个芳香环以1个芳香环相对于另一个芳香环的旋转受到阻碍的方式进行了结合(例如参照专利文献3)。通过由聚酰胺酰亚胺构成绝缘层,能够提高绝缘层的耐热性。
进一步,存在如下制造的聚酰胺酰亚胺,即,使作为芳香族二羧酸以及非芳香族二羧酸所组成的组中的任一种的第1二羧酸与第1二异氰酸酯化合物反应而得到聚合物,然后使上述组中与第1二羧酸不同种类的第2二羧酸、第2二异氰酸酯化合物以及其聚合物反应,从而制造(例如参照专利文献4)。通过由该聚酰胺酰亚胺构成绝缘层,能够提高绝缘层的耐热性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4473916号公报
专利文献2:日本特开平3-181511号公报
专利文献3:日本特开2004-211055号公报
专利文献4:日本特开2005-146118号公报
发明内容
发明要解决的问题
由于具有由聚酰亚胺构成的绝缘层的绝缘电线的耐磨损性差,因此容易在线圈成型时由于线圈插入而在被覆表面产生损伤,很难说具有充分的加工性。
另一方面,存在这样的问题:具有由偏苯三酸酐与二环己甲烷4,4’-二异氰酸酯合成的聚酰胺酰亚胺所构成的绝缘层的绝缘电线由于构成绝缘层的聚酰胺酰亚胺中含有脂肪族,因此难以耐受高温下的连续使用。
于是,本发明的目的是提供一种能够耐受高温下的连续使用、能够抑制线圈成型时由于线圈插入而导致的被覆表面的损伤的绝缘电线,以及使用其的线圈。
解决问题的手段
为了达成该目的而作出的本发明为一种绝缘电线,包括:导体;以及设于所述导体上且具有由聚酰胺酰亚胺构成的聚酰胺酰亚胺层的绝缘被覆,该聚酰胺酰亚胺由下式(1)表示的结构单元构成并且所述式(1)的Ar主要含有下式(2)表示的芳香族基团。
[化1]
[化2]
所述聚酰胺酰亚胺层可由以多于70摩尔%的比例含有所述式(2)表示的芳香族基团作为所述Ar的聚酰胺酰亚胺构成。
所述聚酰胺酰亚胺层可进一步含有下式(3)表示的芳香族基团、下式(4)表示的芳香族基团中的任意一种以上作为Ar。
[化3]
[化4]
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