[发明专利]有机材料、发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置

权利要求书

1.一种发光元件的制造方法，包括以下步骤：

形成第一电极；

形成第二电极；以及

在所述第一电极与所述第二电极之间形成包含有机化合物的EL层，

其中所述有机化合物通过将芳基卤化物与芳基硼酸或芳基硼酸酯偶合来制备，

并且在所述偶合之前通过使用多元醇的处理来对所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯进行精制。

2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中所述多元醇是山梨醇。

3.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，

其中通过进行所述精制来将杂质的浓度降低到1％以下，

所述杂质是除了第一杂质及第二杂质以外的杂质，

所述第一杂质是通过用氢取代所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯的氧硼基来得到的芳烃，

并且所述第二杂质具有比所述第一杂质大16或17的分子量。

4.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中所述EL层包括多个层。

5.一种有机化合物的制造方法，包括以下步骤：

通过使用多元醇的处理来对芳基硼酸或芳基硼酸酯进行精制；以及

将芳基卤化物与所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯偶合，

其中所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯由通式(G2)表示，

其中Ar²表示取代或未取代的具有6至13个碳原子的芳基，

R¹及R²各自表示氢和具有1至6个碳原子的烷基中的任一个，

并且所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯具有100至1000的分子量。

6.根据权利要求5所述的有机化合物的制造方法，其中所述多元醇是山梨醇。

7.根据权利要求5所述的有机化合物的制造方法，

其中通过进行所述精制来将杂质的浓度降低到1％以下，

所述杂质是除了第一杂质及第二杂质以外的杂质，

所述第一杂质是通过用氢取代所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯的氧硼基来得到的芳烃，

并且所述第二杂质具有比所述第一杂质大16或17的分子量。

8.根据权利要求5所述的有机化合物的制造方法，其中所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯是具有取代基的苯基硼酸。

9.根据权利要求8所述的有机化合物的制造方法，其中所述取代基的骨架包括稠芳杂环。

10.根据权利要求9所述的有机化合物的制造方法，其中所述稠芳杂环是二苯并噻吩环或二苯并呋喃环。

11.一种发光元件的制造方法，包括以下步骤：

形成第一电极；

形成第二电极；以及

在所述第一电极与所述第二电极之间形成包含有机化合物的EL层，

其中所述有机化合物通过将芳基卤化物与芳基硼酸或芳基硼酸酯偶合来制备，

在所述偶合之前降低所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯中的杂质的浓度，

所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯由通式(G2)表示，

Ar²表示取代或未取代的具有6至13个碳原子的芳基，

R¹及R²各自表示氢和具有1至6个碳原子的烷基中的任一个，

并且所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯具有100至1000的分子量。

12.根据权利要求11所述的发光元件的制造方法，

其中将所述杂质的浓度降低到1％以下，

所述杂质是除了第一杂质及第二杂质以外的杂质，

所述第一杂质是通过用氢取代所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯的氧硼基来得到的芳烃，

并且所述第二杂质具有比所述第一杂质大16或17的分子量。

13.根据权利要求11所述的发光元件的制造方法，其中所述EL层包括多个层。

14.根据权利要求11所述的发光元件的制造方法，其中所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯是具有取代基的苯基硼酸。

15.根据权利要求14所述的发光元件的制造方法，其中所述取代基的骨架包括稠芳杂环。