[发明专利]晶舟自动吹扫装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体地说，涉及一种晶舟自动吹扫装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。

在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是垂直炉管，而在炉管中，使用晶舟来进行硅片传送、清洗及加工的承载工具。半导体工艺中，一般晶舟有两种材质，一是石英/碳化硅，另一是特氟龙。石英/碳化硅晶舟用在温度较高（大于300℃）的场合，如炉管工艺。而特氟龙晶舟则用在传送或酸处理的场合。

目前，在炉管工艺中，由于硅片与晶舟的硅片支撑脚的材质不同，其在高温下的热膨胀率不同。因此，在升降温过程中，硅片与晶舟的硅片支撑脚处的膜容易产生剥落，导致硅片在晶舟的硅片支撑脚位置的颗粒不断积累，影响产品良率。如果不及时吹扫晶舟槽内的颗粒（剥落的膜），会对后续再进管的产品产生不良影响。目前的晶舟槽内的颗粒的清除手法主要依赖于工程师手动将晶舟搬走，之后，后用氮气枪吹扫，然后再安装回炉管内，并进行机械手传送校正确认。但是，这种方式依赖于手工，在吹扫的过程中，设备必须停机时间，而且还需要人为搬送石英件。因此，导致产品的生产成本较高，产品的良率较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶舟自动吹扫装置，用以实现线性和分布式控制。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种晶舟自动吹扫装置，其设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。

优选地，在本发明的一实施例中，所述吹扫控制结构为一气缸。

优选地，在本发明的一实施例中，所述反应物为氮气。

优选地，在本发明的一实施例中，所述炉管为垂直炉管。

优选地，在本发明的一实施例中，还可以包括驱动机构，用于接口控制信号，驱动所述喷嘴在所述导轨上行进。

优选地，在本发明的一实施例中，所述喷嘴在其工作状态下配合晶舟的旋转，完成对晶舟的全方位吹扫。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种炉管，其包括上述任一晶舟自动吹扫装置。

本发明中，晶舟自动吹扫装置设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。

附图说明

图1为本发明实施例中晶舟自动吹扫装置的结构示意图；

图2为喷嘴101的吹扫状态示意图。

具体实施方式

以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

本发明的下述实施例中，晶舟自动吹扫装置设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫其他，以将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。

如图1所示，为本发明实施例中晶舟自动吹扫装置的结构示意图，其设置在炉管内的装载区10，包括：喷嘴101、导轨102和吹扫控制机构（图中未示出），喷嘴101用于喷洒吹扫气体，以将晶舟槽内的残留物自动清除的功能，在清除过程中，可通过马达的运转，带动所述喷嘴101沿着所述导轨102或者其他机构行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴101的吹扫状态。

优选地，在本实施例中，所述吹扫控制结构可以为一气缸。在另外一实施例中，所述吹扫控制结构也可以其他机构，在此并不做特殊限定。

优选地，在本实施例中，所述吹扫气体可以为常用的氮气。在另外一实施例中，所述气体也可以其他气体或者液体，在此并不做特殊限定。