[发明专利]In-Ga-Zn-O系溅射靶

权利要求书

1.一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，

所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备与周围相比In的含量多的组织、和与周围相比Ga以及Zn的含量多的组织。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述In的含量多的组织的氧含量比周围的组织少。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，所述In的含量多的组织具有15μm以上的连结结构。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体包含由In₂O₃表示的方铁锰矿结构和由InGaZnO₄表示的同系结构。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体包含由In₂O₃表示的方铁锰矿结构和由ZnGa₂O₄表示的尖晶石结构。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体包含由In₂O₃表示的方铁锰矿结构和由In_1.5Ga_0.5Zn₂O₅表示的同系结构。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体的In、Ga以及Zn的原子比满足下述式，

0.20≤In/(In+Ga+Zn)≤0.70

0.01≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.50

0.05≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.60。

8.根据权利要求7所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体的In、Ga以及Zn的原子比满足下述式，

Ga/(In+Ga+Zn)≤0.45

0.10≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.40

In/(In+Ga)＜0.60。

9.根据权利要求7所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体的In、Ga以及Zn的原子比满足下述式，

In/(In+Ga+Zn)≤0.65

0.10≤Ga/(In+Ga+Zn)

0.10≤Zn/(In+Ga+Zn)

0.60≤In/(In+Ga)

0.51≤In/(In+Zn)。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体还以满足下述式的原子比含有Sn，

0.0001＜Sn/(In+Ga+Zn+Sn)＜0.10。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的溅射靶，其实质上仅含有In、Ga、Zn以及O。

12.一种权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其中，包括：对包含具有由ZnGa₂O₄表示的尖晶石结构的氧化物的成形体进行烧结的工序。

13.一种半导体元件的制造方法，其中，包括：使用权利要求1～11中任一项所述的溅射靶形成氧化物膜的工序。