[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基底，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一区域和在半导体基底的横向方向上邻接第一区域的第二区域；

处于第一区域中的至少一个器件单元，包括源极区、基底区、漂移区、漏极区和栅电极；

与源极区连接并被布置在第一表面上的源电极，与漏极区连接并被布置在第二表面上的漏电极；

第一过孔，在半导体基底的垂直方向上延伸，与第二区域电绝缘，并与至少一个器件单元的栅电极电连接；

栅端电极，被布置在第二表面上并与该第一过孔电连接；

第二区域中的边缘终止结构，该边缘终止结构包括与漂移区具有相同掺杂类型且在横向方向上邻接漂移区的第一终止区域和具有与第一终止区域的掺杂类型互补的掺杂类型的第二终止区域；

其中第二终止区域电耦合至源电极，在横向方向上被布置为远离漂移区和漏极区并被布置为相比于与第一表面的距离更接近于第二表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中第二终止区域邻接第二表面。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中第二终止区域通过耦合结构电耦合至源电极，该耦合结构包括：

接触电极，处于第二表面上，电耦合至第二终止区域；和

耦合区域，具有与第二终止区域相同的掺杂类型，在第二表面的区域内电耦合至接触电极并在第一表面的区域内电耦合至源电极。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中具有与耦合区域相同的掺杂类型且比耦合区域更高掺杂的第一接触区域被布置在第一终止区域和接触电极之间，以及其中具有与耦合区域相同的掺杂类型且比耦合区域更高掺杂的第二接触区域被布置在第一终止区域和源电极之间。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中第二终止区域通过耦合结构电耦合至源电极，该耦合结构包括：

接触电极，处于第二表面上并电耦合至第二终止区域；和

第二过孔，在半导体基底的垂直方向上延伸，与第二区域绝缘，在第一表面的区域内电连接至源电极，并在第二表面的区域内电连接至接触电极。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中边缘终止结构进一步包括多个介电区域，该多个介电区域沿半导体基底的垂直方向延伸并在半导体基底的横向方向上位于漂移区和第二终止区域之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中至少一个介电区域从第一表面延伸至第二表面。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中至少一个介电区域环绕该第一区域。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中至少一个介电区域从第一表面延伸至第二表面，且其中第二终止区域通过耦合结构电耦合至源电极，该耦合结构包括：

接触电极，处于第二表面上，电耦合至第二终止区域；和

耦合区域，具有与第一终止区域相同的掺杂类型，在第二表面的区域内电耦合至接触电极并在第一表面的区域内耦合至源电极。

10.如权利要求6所述的半导体器件，其中该介电区域从第一区域向外延伸。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中源电极连接至基底区，且其中第二终止区域通过耦合结构电耦合至源电极，该耦合结构包括：

接触电极，处于第二表面上，电耦合至第二终止区域；和

耦合区域，具有与第二终止区域相同的掺杂类型，在第二表面的区域内电耦合至接触电极并在第一表面的区域内耦合至基底延伸部，该基底延伸部在基底区和耦合区域之间沿第一表面延伸。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中边缘终止结构进一步包括多个补偿区域，该补偿区域具有与第一终止区域的掺杂类型互补的掺杂类型，在半导体基底的垂直方向上延伸并在半导体基底的横向方向上位于漂移区和第二终止区域之间。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中至少一个补偿区域从第一表面延伸至第二表面。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中该补偿区域环绕该第一区域或呈桩形。

15.如权利要求1所述的半导体器件，其中该第一过孔环绕第一区域和第二区域。

16.如权利要求1所述的半导体器件，其中从第一表面延伸至第二表面的介电层环绕第一区域和第二区域，且其中第一过孔被布置在介电层中。