[发明专利]异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池

权利要求书

1.一种基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，该结构由下至上依次包括：

一透明衬底；

一阳极，其沉积在该衬底上；

一下缓冲层，其沉积在阳极上；

一掺杂有源层，其沉积在下缓冲层上；

一上缓冲层，其沉积在该掺杂有源层上；以及

一阴极，其沉积在该上缓冲层上。

2.根据权利要求1所述的基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，其中所述透明衬底为玻璃或者透光性的柔性聚合物。

3.根据权利要求1所述的基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，其中所述阳极采用ITO或者FTO，厚度为150-200nm。

4.根据权利要求1所述的基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，其中所述下缓冲层的材料为甘露醇掺杂的聚3，4-乙烯基二氧噻吩：磺化聚苯乙烯，厚度为30-50nm。

5.根据权利要求1所述的基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，其中所述的掺杂有源层含有有机电子给体、有机电子受体及异质结构等离激元复合材料，所述有机电子给体的材料为P型有机聚合物半导体P3HT、PTB7、PBDTTT-C或PBDTTT-CF，所述的有机电子受体的材料为富勒烯及其衍生物，所述异质结构等离激元复合材料为金或者银纳米粒子修饰的一维氧化锌或二氧化钛纳米棒，所述掺杂有源层的厚度为80-200nm。

6.根据权利要求5所述的基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，其中所述的有机电子给体、有机电子受体及异质结构等离激元复合材料的材料重量比为1∶1∶0.01-0.05。

7.根据权利要求1所述的基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，其中所述的上缓冲层为空穴阻挡层，材料为钙、氧化锌或者氧化钛，厚度为10-25nm。

8.根据权利要求1所述的基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，其中所述阴极的材料为铝，厚度为80-120nm。