[发明专利]光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310195621.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103309151A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄君;毛智彪;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48;G03F1/68;H01L21/3105;B05D3/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 处理 方法 以及 半导体器件 制备 | ||
1.一种光刻胶的处理方法，包括：
提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；
在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；
采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。
2.如权利要求1所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，在所述基底上旋涂微缩辅助膜的步骤和所述采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜的步骤之间，还包括：
对所述保护膜进行加热固化；
去除多余的所述微缩辅助膜。
3.如权利要求2所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述加热固化的温度为80℃～180℃。
4.如权利要求3所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述加热固化的温度为90℃～170℃。
5.如权利要求2所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述加热固化的时间为15秒～300秒。
6.如权利要求5所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述加热固化的时间为30秒～120秒。
7.如权利要求1所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述低温低能等离子处理工艺的气体包含氮气和氧气。
8.如权利要求9所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述氮气和氧气的体积比为1∶1～3∶1。
9.如权利要求1所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述低温低能等离子处理工艺的能量为100W～500W。
10.如权利要求1所述的光刻胶的处理方法，其特征在于，所述低温低能等离子处理工艺的温度为50℃～120℃。
11.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供衬底，所述衬底上具有第一区以及第二区；
在所述衬底上制备氧化硅薄膜；
在所述第一区上的所述氧化硅薄膜上制备光刻胶；
在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；
采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜；
部分或全部去除所述第二区上所述氧化硅薄膜；
去除所述保护膜以及所述光刻胶。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
