[发明专利]掩模结构

权利要求书

1.一种掩模结构，包括：

一基底；

一吸收层，形成于该基底上；以及

一图案化的反射层，形成于该吸收层上。

2.如权利要求1所述的掩模结构，其中该基底包括石英或二氧化硅。

3.如权利要求1所述的掩模结构，其中该反射层为一图案化多层堆叠，其具有一相对高折射率材料及一相对低折射率材料的交替层。

4.如权利要求3所述的掩模结构，其中该多层堆叠包括一钌/硅多层堆叠、一钼/铍多层堆叠、一钼化合物/硅化合物多层堆叠、一硅/钼/钌多层堆叠、一硅/钼/钌/钼多层堆叠、或一硅/钌/钼/钌多层堆叠。

5.如权利要求1所述的掩模结构，还包括一缓冲层，位于该吸收层及该反射层之间。

6.如权利要求5所述的掩模结构，其中该缓冲层包括二氧化硅、铬、或氮化铬。

7.如权利要求1所述的掩模结构，还包括一导电涂层，形成于该基底的一背侧上。

8.如权利要求7所述的掩模结构，其中该导电涂层包括铬、或氮化铬。

9.如权利要求1项所述的掩模结构，其中该吸收层包括TaN、TaBN、TaGeN、或TaBON。