[发明专利]具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线

权利要求书

1.具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于设有基板和SMA接头；所述基板的上表面敷有上表面导体层，基板的下表面敷有下表面导体层，设在上表面导体层的平面偶极子阵列带有高阶改进Sierpinski阵列结构，用于辐射电波；设在上表面导体层上的微带线馈电部分用于给平面偶极子阵列提供主辐射馈电；设在下表面导体层上的倒凹字形缝隙与平面偶极子阵列产生电磁耦合以增加带宽，设在下表面导体层上的波段抑制缝隙呈对称Z字形，用于截取上表面导体层辐射的特定频率的电波，形成用户需求的陷波波段，所述特定频率为3.58～4.53GHz；所述SMA接头分别与基板的上表面导体层和下表面导体层相连。

2.如权利要求1所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述基板的介电常数为2～10，最好为4.4。

3.如权利要求1所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述平面偶极子阵列，由凹字形贴片一字形贴片、两个正方形贴片和两个Sierpinski高阶改进型树状贴片组成；所述一字形贴片宽度为0.8±0.2mm，一字形贴片两端对称设有边长为0.8±0.2mm的正方形贴片和高阶改进Sierpinski结构分形贴片。

4.如权利要求1所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述一字形贴片水平长度为12～16mm，最好为14mm。

5.如权利要求1所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述高阶改进Sierpinski结构，其阶数为2、3、4、5，…，最好为3；Sierpinski分形的基本改进为按Sierpinski分形规律具有特殊耦合效应的凸字挖孔，随分形阶数不同在偶极子壁上形成分形孔洞状面阵列。

6.如权利要求5所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述凸字挖孔，其凸字由4个正方形叠放而成，叠放方式为其中3个并排紧凑放置在下形成一个长方形，另1个置于长方形上方，位置可调，且这4个正方形大小比列可调，通过这些微结构的优化可控制本款天线的特性。

7.如权利要求1所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述微带线馈电部分为“1”字形贴片，“1”字形贴片上端与所述一字形贴片中间相连，“1”字形贴片下端与上表面导体层下端距离为0，“1”字形贴片宽度为3.6±0.6mm，竖直长度为8±1mm。

8.如权利要求1所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述倒凹字形缝隙的水平长度和竖直长度分别为38±4mm和15±2mm，所述倒凹字形缝隙下端与下表面导体层下端距离为8±1mm，与下表面导体层左右两侧距离均相等。

9.如权利要求8所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述倒凹字形缝隙下端凹进去部分的水平长度可为13～17mm，最好为15mm，竖直长度可为1.3～1.7mm，最好为1.5mm；所述倒凹字形缝隙与下表面导体层左右两侧距离可为0.8～6mm，最好为2mm。

10.如权利要求1所述具有C波段抑制功能的分形超宽带陷波天线，其特征在于所述波段抑制缝隙，位于倒凹字形缝隙下方，呈对称Z字形，波段抑制缝隙中左侧缝隙与下表面导体层左侧距离为0，所述波段抑制缝隙中右侧缝隙与下表面导体层右侧距离为0，所述波段抑制缝隙尺寸典型值可取：缝隙宽度1±0.2mm，下端水平缝隙长度与上端水平缝隙长度均为4±0.8mm，下端水平缝隙与上端水平缝隙距离5±1mm，上端水平缝隙和下端水平缝隙均与垂直缝隙呈90°±10°的钝角或锐角。