[发明专利]光电装置及电子设备有效
申请号: | 201310174257.4 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103426400B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 腰原健;佐藤久克;野村猛 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 舒艳君,李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 装置 电子设备 | ||
1.一种光电装置,其特征在于,具备:
反射层;
发光元件,其具备形成于阳极与阴极之间的发光层;
驱动晶体管,其对流向所述发光元件的电流进行控制;以及
共振构造,其利用调整层对所述反射层与所述阴极之间的光程进行调整,
在与所述反射层相同的层上,以与所述反射层具有间隙的方式形成有从所述驱动晶体管向所述阳极的电流路径中所包含的中继电极,
将电连接所述中继电极与所述阳极的接触电极作为对射入所述间隙的光进行遮挡的遮光层而形成,
所述遮光层位于从所述发光层的所述中继电极侧的端部向所述间隙的所述反射层侧的端部射入的光的光路上,
以比从上述发光元件的上述中继电极侧的端部射入上述阳极的光中的、到达上述间隙的上述反射层侧的端部的光的光路更接近平行的角度射入的光被上述遮光层遮挡。
2.根据权利要求1所述的光电装置,其特征在于,
所述反射层由与所述中继电极相同的导电性材料形成,向所述反射层供给规定的电位。
3.根据权利要求1或2所述的光电装置,其特征在于,
所述反射层具有开口,
所述中继电极形成于所述开口内,
所述反射层包围所述中继电极的四周。
4.根据权利要求1或2所述的光电装置,其特征在于,
以覆盖所述反射层及所述中继电极的方式形成绝缘膜,
所述接触电极经由设置于所述绝缘膜的开孔与所述中继电极连接。
5.根据权利要求1或2所述的光电装置,其特征在于,
所述阳极的至少一部分与所述接触电极接触地被设置。
6.根据权利要求1或2所述的光电装置,其特征在于,
所述遮光层由氮化钛(TiN)或氮化钛/铝/氮化钛(TiN/Al/TiN)合金形成。
7.根据权利要求1或2所述的光电装置,其特征在于,
所述反射层由钛与铝的合金形成。
8.一种光电装置,其特征在于,具备:
反射层;
发光元件,其具备形成于第一电极与第二电极之间的发光层;
晶体管,其与所述第一电极电连接;以及
共振构造,其利用调整层对所述反射层与所述第二电极之间的光程进行调整,
在与所述反射层相同的层上,以与所述反射层具有间隙的方式形成有从所述晶体管向所述第一电极的电流路径中所包含的中继电极,
将电连接所述中继电极与所述第一电极的接触电极作为对射入所述间隙的光进行遮挡的遮光层而形成,
所述遮光层位于从所述发光层的所述中继电极侧的端部向所述间隙的所述反射层侧的端部射入的光的光路上,
以比从上述发光元件的上述中继电极侧的端部射入上述第一电极的光中的、到达上述间隙的上述反射层侧的端部的光的光路更接近平行的角度射入的光被上述遮光层遮挡。
9.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1~8中任一项所记载的光电装置。
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