[发明专利]一种在镁基复合材料表面制备Ti/TiO2或TiN生物相容性膜层的方法有效

专利信息
申请号: 201310169315.4 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN103276361A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 余琨;陈良建;戴翌龙;颜阳;乔雪岩;赵俊 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/58
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 邓建辉
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合材料 表面 制备 ti tio sub tin 生物 相容性 方法
【权利要求书】:

1.一种在镁基复合材料表面获得Ti/TiO2或TiN膜层的方法,其特征是:包含以下步骤:

(1)、在真空多弧离子镀设备中对表面清洗后的镁基复合材料进行表面镀膜,将真空多弧离子镀膜机抽真空到6.0×10-3Pa以上的真空度,然后加热至200℃~220℃,充入氩气,氩气分压控制在0.4Pa~0.6Pa,接通镁基复合材料偏压电源,偏压值为100V~250V,对镁基复合材料进行初步轰击2min~3min;

(2)、如果需要镀Ti/TiO2层,则在步骤(1)之后,再次抽真空到3×10-3Pa以上的真空度,镁基复合材料偏压调整至150V~400V,同时,引燃纯钛靶材起弧放电,起弧电流控制在30A~80A,沉积时间为2min~10min,此时获得纯Ti膜层;将镀好Ti层的产品从真空室中取出后在大气中放置,在Ti层表面自然氧化获得TiO2层,从而获得Ti/TiO2层;

(3)、如果需要镀TiN层,则在步骤(1)之后,在真空室中充入氮气,保持氮气分压在0.5Pa~1Pa,占空间体积比例为45%~50%,镁基复合材料偏压值在50V~250V,起弧电流控制在50A~100A,沉积时间为8min~12min;

(4)、其他在镀膜过程中使用到的相关参数设定为:电弧源工作电流:30A~100A,靶材数量4件~8件,靶材直径60mm~100mm,靶材电流范围30A~100A,工作时稳弧电流为50A~60A,靶材电位-18V~-20V,镁基复合材料加热温度为400℃~450℃。

2.根据权利要求1所述的在镁基复合材料表面获得Ti/TiO2或TiN膜层的方法,其特征是:上述步骤(1)中对镁基复合材料的表面清洗是指:先将镁基复合材料在砂纸上研磨抛光,去除表面氧化膜层,然后放入无水酒精中清洗,或采用超声波清洗设备进行清洗,确保镁基体材料表面清洁无氧化物。

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