[发明专利]用于光刻系统的图案生成器

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地来说，涉及图案生成器及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经经历了呈指数式增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每代都比前一代具有更小和更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，单位芯片面积上的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺制造的最小组件(或线))减小。该按比例缩小工艺通常通过增加生产效率并且降低相关成本来提供优点。

按比例缩小存在困难，特别是光刻系统。例如，光刻系统中的光衍射变成进一步按比例缩小特征大小的障碍。带电粒子束光刻系统可以是按比例缩小特征大小的另一种选择，但是这些系统通常会减小生成能力。从而，需要增加诸如带电粒子束光刻系统的光刻系统中的晶圆生产能力的方法。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种图案生成器，包括：平面镜阵列板，包括平面镜；第一电极板，设置在所述平面镜阵列板上方，所述第一电极板包括至少一个第一导电层和至少一个第二导电层；小透镜，设置在所述平面镜上方，所述小透镜包括在所述第一电极板中所形成的非竖直侧壁；以及第一绝缘层，夹置在所述平面镜阵列板和所述第一电极板之间。

该图案生成器进一步包括：第二绝缘层，设置在所述第一电极板上方；以及第二电极板，设置在所述第二绝缘层上方；其中，所述小透镜还包括在所述第二电极板中形成的非竖直侧壁。

在该图案生成器中，所述电极板平行于所述平面镜阵列板。

在该图案生成器中，所述非竖直侧壁包括U形侧壁或L形侧壁。

在该图案生成器中，所述电极板包括两个第一导电层和夹置在所述两个第一导电层之间的一个第二导电层。

在该图案生成器中，所述第一导电层不同于所述第二导电层。

在该图案生成器中，与所述第二导电层相比，所述第一导电层包括不同的蚀刻率。

在该图案生成器中，与所述第二导电层相比，所述第一导电层包括不同的应力。

在该图案生成器中，所述小透镜与所述平面镜对准。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于制造光刻胶图案的方法，所述方法包括：接收衬底；在所述衬底上沉积光刻胶膜；利用图案生成器(PG)使沉积在所述衬底上的所述光刻胶膜曝光，其中，所述图案生成器包括：平面镜阵列板，具有平面镜；至少一个绝缘层，设置在所述平面镜阵列板上方；至少一个电极板，设置在所述绝缘板上方，所述电极板包括至少一个第一导电层和至少一个第二导电层；和小透镜，形成在所述平面镜上方，所述小透镜包括在所述电极板中形成的非竖直侧壁；以及通过使曝光的光刻胶膜显影，在所述衬底上形成所述光刻胶图案。

该方法进一步包括：使用具有特征的集成电路(IC)设计数据库和连接至所述PG的电场生成器，所述PG用于响应于所述特征控制所述小透镜反射或者吸收辐射束。

在该方法中，所述绝缘层包括非导电无机材料或有机材料。

在该方法中，所述第一导电层包括金属或金属化合物。

在该方法中，所述第二导电层包括金属或金属化合物。

在该方法中，源包括电子源或离子源。

在该方法中，所述非竖直侧壁包括U形侧壁。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于制造图案生成器的方法，所述方法包括：接收具有平面镜的平面镜阵列板；在所述平面镜阵列板上方沉积至少一个绝缘层；在所述绝缘层上方形成至少一个电极板，其中，形成所述电极板包括：在所述绝缘体上方沉积至少一个第一导电层并且在所述第一导电层上方沉积至少一个第二导电层；以及在所述平面镜上方形成小透镜，其中，形成所述小透镜包括：实施凹槽蚀刻，以在所述电极板中形成非竖直侧壁。

该方法进一步包括：使用所述图案生成器在衬底上形成光刻胶图案，其中，所述衬底包括晶圆或掩模覆盖层。

在该方法中，形成所述电极板包括：形成具有夹置一个第二导电层的两个第一导电层的三层电极板。

在该方法中，形成所述非竖直侧壁包括：在所述电极板中形成U形侧壁。

附图说明

当结合附图进行读取时，通过以下详细描述更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，多种部件没有按比例绘制并且仅用于说明目的。实际上，为了论述清楚起见，多种部件的尺寸可以任意增加或减小。

图1是可以通过一个或多个实施例获益的光刻系统的框图。