[发明专利]一种数据读写方法、存储控制器及计算机有效

专利信息
申请号: 201310162901.6 申请日: 2013-05-06
公开(公告)号: CN104142894B 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 方帆;李俊 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 读写 方法 存储 控制器 计算机
【权利要求书】:

1.一种数据写入方法,其特征在于,包括:

通过第一读写接口获取软件层控制器发送的第一写命令,所述第一写命令中包含第一数据的特征值和待写入的所述第一数据;所述第一数据至少包括:元数据,所述元数据用于索引其他数据或者描述其他数据的属性;

根据所述第一数据的特征值,采用预设写策略将所述第一数据缓存至第一存储单元,并在所述第一存储单元中更新所述第一数据的引用计数值,所述第一数据的引用计数值用于记录在所述第一存储单元读写所述第一数据的次数;

当检测到对所述第一数据的写入指示时,将所述第一存储单元中缓存的所有所述第一数据写入第二存储单元;

通过第二读写接口获取所述软件层控制器发送的第二写命令,所述第二写命令不是元数据的写命令,所述第二写命令中包含待写入的数据;

将所述待写入的数据缓存至第三存储单元,并从所述第三存储单元将所述待写入的数据写入所述第二存储单元。

2.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,所述第一读写接口为预设的专用接口SPI;

所述第一存储单元为特殊用途随机存储器SPRAM,所述第二存储单元为Flash芯片,所述第三存储单元为随机存储器RAM;

所述写入指示为接收自所述软件层控制器的刷写指令;或者,所述写入指示为断电指示。

3.根据权利要求1或2所述的数据写入方法,其特征在于,所述根据所述第一数据的特征值,采用预设写策略将所述第一数据缓存至第一存储单元,并在所述第一存储单元中更新所述第一数据的引用计数值,包括:

判断所述第一存储单元中是否缓存有第二数据,所述第二数据的特征值与所述第一数据的特征值相同;

若所述第一存储单元中缓存有所述第二数据,则将所述第一数据缓存至所述第一存储单元,且所述第一数据覆盖所述第二数据,并更新所述第一存储单元中缓存的所述第二数据的引用计数值;

或者,

若所述第一存储单元未缓存所述第二数据,则将所述第一数据缓存至所述第一存储单元,并在所述第一存储单元中增加所述第一数据的引用计数值,所述第一数据的引用计数值为1。

4.根据权利要求3所述的数据写入方法,其特征在于,在所述将所述第一数据缓存至所述第一存储单元之前,所述方法还包括:

判断所述第一存储单元的缓存是否达到预设上限值;

所述将所述第一数据缓存至所述第一存储单元,包括:

若所述第一存储单元的缓存已达到所述预设上限值,则采用所述第一数据置换所述第一存储单元中缓存的第三数据,所述第三数据至少包括:缓存于所述第一存储单元中的,所述第三数据的引用计数值按照由小到大的顺序排在第一位的数据;

或者,

若所述第一存储单元的缓存未达到所述预设上限值,则直接将所述第一数据缓存至所述第一存储单元。

5.根据权利要求4所述的数据写入方法,其特征在于,所述采用所述第一数据置换所述第一存储单元中缓存的第三数据,包括:

将所述第三数据写入第二存储单元,以减少所述第一存储单元的缓存,并缓存所述第一数据至所述第一存储单元。

6.一种数据读取方法,其特征在于,包括:

通过第一读写接口获取软件层控制器发送的第一读命令,所述第一读命令中包含第一数据的特征值;所述第一数据至少包括:元数据,所述元数据用于索引其他数据或者描述其他数据的属性;

根据所述第一数据的特征值判断第一存储单元中是否缓存有所述第一数据;

若所述第一存储单元中未缓存所述第一数据,则根据所述第一数据的特征值从第二存储单元读取所述第一数据;

通过所述第一读写接口发送所述第一数据至所述软件层控制器,并将所述第一数据缓存至所述第一存储单元,以便于再次接收到所述第一读命令时直接从所述第一存储单元读取所述第一数据;

通过第二读写接口获取所述软件层控制器发送的第二读命令,所述第二读命令不是元数据的读命令,所述第二读命令中包含待读出数据的特征值;

根据所述待读出数据的特征值从第三存储单元或者所述第二存储单元读取相应的数据,并通过所述第二读写接口发送读取到的数据至所述软件层控制器。

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