[发明专利]一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法有效
| 申请号： | 201310141035.2 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103232023A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 陈涛;司金海;马云灿;潘安;陈烽;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 处理 湿法 刻蚀 微结构 加工 方法 | ||
1.一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法，其特征在于：在含氧气体氛围中利用飞秒激光扫描单晶硅基片，在扫描区诱导硅产生折射率变化，再通过氢氟酸湿法刻蚀去除折射率变化区在硅表面形成微结构。
2.根据权利要求1所述的基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法，其特征在于，该方法具体按照以下步骤进行：
(1)选用单晶硅基片，依次在丙酮、酒精和去离子水中清洗；
(2)在含氧气体氛围中利用飞秒激光在硅上扫描定义微结构的分布图样，使扫描区域硅的折射率改变；
(3)将飞秒激光处理后的硅基片在氢氟酸中进行超声波辅助腐蚀，去除折射率变化区域，在硅表面形成微结构；
(4)将经氢氟酸腐蚀后的硅片在去离子水中清洗。
3.根据权利要求1或2所述的基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法，其特征在于，所述单晶硅基片是<100>、<111>、<110>晶向的硅基片。
4.根据权利要求2所述的基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法，其特征在于，步骤(2)中，所述含氧气体选择空气。
5.根据权利要求2所述的基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法，其特征在于，步骤(2)中，利用飞秒激光扫描单晶硅基片在其内部形成含氧的折射率变化区域，表面激光去除深度小于5微米。
6.根据权利要求2所述的基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法，其特征在于，步骤(2)中，飞秒激光照射产生的折射率变化区域深度和宽度由照射的飞秒激光能量、聚焦条件以及扫描速度控制；折射率变化区域的深度为200微米以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310141035.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
