[发明专利]堆叠掩模

权利要求书

1.一种光学光刻系统，包括：

晶圆衬底；

掩模；

物镜，位于所述晶圆衬底和所述掩模之间；

其中，所述掩模包括：

低热膨胀材料(LTEM)衬底；

至少两个吸收层，其中第一吸收层沉积在所述低热膨胀材料衬底的上方；以及

间隔层，分离这两个吸收层，其中，所述间隔层的厚度等于所述晶圆衬底上的构形部件的高度乘以所述物镜的缩倍的平方。

2.根据权利要求1所述的光学光刻系统，进一步包括位于所述吸收层上方的顶涂层。

3.根据权利要求1所述的光学光刻系统，其中，所述吸收层包括阶段图案。

4.根据权利要求1所述的光学光刻系统，其中，所述低热膨胀材料衬底包括熔融硅、熔融石英、氟化钙(CaF₂)、碳化硅或者氧化硅-氧化钛合金。

5.根据权利要求1所述的光学光刻系统，其中，所述吸收层包括Cr、CrN、CrO、CrON、Mo、MoSi、MoSiN、MoSiON、Ta、TaON、TaB、TaBN、TaHfN、TaHf、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZrN或TaZr。

6.根据权利要求1所述的光学光刻系统，其中，所述间隔层包括基于MoSi的化合物、基于Si的化合物、基于Ta的化合物、氧化硅或者掺锆、钡、镧、铝、钠、磷、硫、硒或碲的氧化硅。

7.根据权利要求2所述的光学光刻系统，其中，所述顶涂层包括CrN、CrON、CrO、TaO、TaON、SiO、SiO₂、SiN或SiON。

8.一种光学光刻系统，包括：

晶圆衬底；

堆叠掩模；

物镜，位于所述晶圆衬底和所述堆叠掩模之间；

其中，所述堆叠掩模包括：

低热膨胀材料(LTEM)衬底；

至少两个吸收层，包括第一吸收层和第二吸收层，所述第一吸收层沉积在所述低热膨胀材料衬底的上方；以及

间隔层，分离这两个吸收层，所述间隔层的厚度等于所述晶圆衬底上的构形部件的高度乘以所述物镜的缩倍的平方。

9.根据权利要求8所述的光学光刻系统，进一步包括位于所述第一吸收层、所述第二吸收层或者两者上方的顶涂层。

10.一种制造光学光刻系统的掩模的方法，所述方法包括：

接收低热膨胀材料(LTEM)衬底；

在所述低热膨胀材料衬底的上方沉积第一吸收层；

在所述第一吸收层的上方沉积第一间隔层；

在所述第一间隔层的上方沉积第二吸收层；以及

形成所述掩模的阶段吸收层图案；

其中，所述光学光刻系统包括晶圆衬底、所述掩模以及位于所述晶圆衬底和所述掩模之间的物镜，所述第一间隔层的厚度等于所述晶圆衬底上的构形部件的高度乘以所述物镜的缩倍的平方。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在所述第二吸收层的上方沉积第二间隔层。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述第二吸收层的上方沉积第三吸收层。

13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在所述第一吸收层、所述第二吸收层或者两者上方沉积顶涂层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述阶段吸收层图案包括在所述低热膨胀材料衬底上涂覆光刻胶膜、曝光所述光刻胶膜、显影曝光的光刻胶膜以在所述低热膨胀材料衬底上形成光刻胶图案、以及蚀刻具有所述光刻胶图案的所述低热膨胀材料衬底以在所述低热膨胀材料衬底上形成阶段吸收层图案。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，曝光所述光刻胶膜包括使用掩模写入器将所述光刻胶图案写至所述光刻胶膜。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述阶段吸收层图案包括形成第一阶段图案和第二阶段图案。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括使所述第二阶段图案与所述第一阶段图案对准。

18.根据权利要求10所述的方法，进一步包括使用掩模检查工具检查所述阶段吸收层图案的缺陷，其中，检查所述阶段吸收层图案包括修复缺陷。

19.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：使用所述掩模在晶圆衬底上形成光刻胶图案。