[发明专利]一种石墨烯的制备方法有效
申请号: | 201310131868.0 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN103224230B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 谭彬 | 申请(专利权)人: | 湖南元素密码石墨烯高科技有限公司 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184 |
代理公司: | 长沙市标致专利代理事务所(普通合伙)43218 | 代理人: | 徐邵华 |
地址: | 410000 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及材料领域,具体为一种石墨烯及其制备方法。
背景技术
2004年,英国曼彻斯特大学的Geim等研究者从石墨上剥下少量石墨单片,发现了由碳原子以sp2杂化连接的单原子层构成的新型二维原子晶体-石墨烯(Novoselov K.S.,Geim A.K.,Morozov S.V.,et al.Electric field effect in atomically thin carbon films[J].Science,2004,306(5696):666-669.),其基本结构单元为有机材料中最稳定的苯六元环,是世界上最薄的二维材料,厚度仅为0.35nm;强度是已测试材料中最高的(Lee C.G.,Wei X.D.,Kysar J.W.,et al.Measurement of the elastic properties and intrinsic strength of monolayer graphene[J].Science,2008,321(5887):385-388.),达130GPa,是钢的100多倍;其载流子迁移率达15000cm2·V-1·s-1(Chen J.H.,Jang C.,Xiao S.D.,et al.Intrinsic and extrinsic performance limits of graphene devices on SiO2[J].Nature Nanotechnology,2008,3(4):206-209.),是目前已知的具有最高迁移率的锑化铟材料的两倍,超过商用硅片迁移率的10倍以上,在特定条件下(如低温骤冷等),其迁移率甚至可达250000cm2·V-1·s-1(Service R.F.Carbon sheets an atom thick give rise to graphene dreams[J].Science,2009,324(5929):875-877.);其热导率可达5000W·m-1·K-1,是金刚石的3倍(Balandin A.A.,Ghosh S.,Bao W.Z.,et al.Superior thermal conductivity of single-layer graphene[J].Nano Letters,2008,8(3):902-907.);还具有室温量子霍尔效应(Novoselov K.S.,Jiang Z.,Zhang Y.,et al.Room-temperature quantum hall effect in graphene[J].Science,2007,315(5817):1379-1379.)及室温铁磁性(Dmitry V.K.,Amanda L.H.,Alexander S.,et al.Longitudinal unzipping of carbon nanotubes to form graphene nanoribbons[J].Nature,2009,458(7240):872-876.)等特殊性质,是继1985年发现富勒烯(Kroto H.W.,Heath J.R.,O′Brien S.C.,et al.C60:Buckminsterfullerene[J].Nature,1985,318(6042):162-163.)和1991年发现纳米碳管(Iijima S.Helical microtubules of graphitic carbon[J].Nature,1991,354(6348):56-58.)后的又一重大发现(Novoselov K.S.,Geim A.K.,Morozov S.V.,et al.Electric field effect in atomically thin carbon films[J].Science,2004,306(5696):666-669.),是目前材料科学和凝聚态物理领域最为活跃的研究对象(成会明,任文才.2008科学发展报告[M].北京:科学出版社,2008.),在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域展现出广阔的应用前景(Geim A.K.,Novoselov K.S.The rise ofgraphene[J].Nature Materials,2007,6(3):183-191.)。
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