[发明专利]具有改善的剥离和抗粘连性的有机硅剥离膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机硅剥离膜，其在光学粘合薄膜的制备过程中保护光学粘合薄膜的粘合层，光学粘合薄膜被用于如触摸屏板(TSP)、LCD和PDP的显示装置。

背景技术

有机硅薄膜已经在工业上广泛用作粘合剂或压敏粘合剂产品或浇铸产品的基底膜。特别是由于显示器产品行业目前的增长，对在各种粘合薄膜中用作基底膜的有机硅薄膜的需求日益增加。

通常，用于显示装置(如TSP、LCD、PDP等)的光学粘合薄膜通常在不存在基底膜下使用。因此，采用有机硅剥离膜来保护光学粘合薄膜的粘合层，其中光学粘合薄膜的每侧被两种不同类型的、剥离力不同的有机硅剥离膜保护(参见图1)。如果剥离力之间的差别不够大，当具有较低剥离力的轻剥离有机硅薄膜从粘合层上剥离时，粘合层将会从具有较高剥离力的重剥离有机硅薄膜上部分层离。近年来，随着光学粘合薄膜尺寸的增加和剥离膜剥离速度变快，对具有更小剥离力的有机硅剥离膜的需求持续增加。

为此，按照惯例，已经采用了由如二氧化硅等制备的无机非活性颗粒来使涂层表面变粗糙。然而，在这种情况下，尽管粘连问题得以减轻，仍存在许多缺点，例如产品雾度增加、在制备过程中非活性颗粒的分离以及对剥离薄膜的破坏。

KR专利申请公开号：2004-0111342(参考文献1)公开了一种剥离膜，其含有表面适度粗糙化的聚酯基底薄膜和在薄膜表面上形成的有机硅剥离层。KR专利申请公开号2001-0033119(参考文献2)公开了一种剥离膜，包括聚萘二甲酸乙二酯基底膜和在薄膜任一侧或两侧的剥离层。然而，薄膜很难获得光学应用所需的低剥离力。此外，如其雾度增加和非活性颗粒的分离等问题仍未解决。

因此，需要具有小剥离力而不增加其雾度的有机硅剥离膜。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种有机硅剥离膜，与传统剥离膜相比，其在雾度轻微增加下，具有低的剥离力和改善的抗粘连性。

换言之，本发明提供一种与常规剥离膜相比能够容易地从粘合层剥离下来的有机硅剥离膜。更具体地，本发明提供一种具有高再粘合性和低有机硅迁移性的有机硅剥离膜，其剥离力为5.0克力/英寸(gf/inch)以下，通过下面方法测得，所述方法包括：在剥离膜的有机硅粘合层上层压标准粘合带TESA7475，将层压的剥离膜在室温下老化30分钟，并以180°的剥离角和12英寸/分钟(inch/min)的剥离速度将标准粘合带从有机硅剥离层上拉下。

本发明的另一目的为提供一种雾度低的有机硅剥离膜。

进一步地，本发明的另一目的为提供一种具有抗粘连性和好的加工性的有机硅剥离膜，同时具有在已层压至粘合层后、在特定存储条件/时期下存储时稳定的剥离保持。

根据本发明的一个方面，提供一种包括聚酯基底膜和有机硅剥离层的剥离膜，其中有机硅剥离层厚度为0.5至5.0μm，并含有平均直径2至10μm的非活性颗粒。

根据本发明的有机硅剥离层含有具有乙烯基或己烯基的聚二甲基硅氧烷。

另外，本发明的有机硅剥离层含有氢硅氧烷。氢硅氧烷的例子包括SYL-7028、SYL-OFF7048、SYL-OFF7599、SYL-OFF7678和SYL-OFF7689(道康宁有限公司(Dow Corning Co.))，但不限于此。

根据本发明的有机硅剥离层包括含有加成反应型有机硅树脂的有机硅剥离层，有机硅树脂包括在催化剂存在下反应的聚二甲基硅氧烷和氢硅氧烷。

本发明剥离膜的剥离力为5.0克力/英寸以下，其与常规剥离膜相比相对较低。剥离力是通过下面方法测得，所述方法包括：在剥离膜的有机硅粘合层上层压标准粘合带TESA7475，将层压的剥离膜在室温下老化30分钟，并以180°的剥离角和12英寸/分钟的剥离速度将标准粘合带从有机硅剥离层上拉下。

根据本发明的有机硅剥离层在基底薄膜的任一侧或两侧上形成。

进一步地，根据本发明的有机硅剥离膜包括：含有0.05至2重量％非活性颗粒的有机硅剥离层，以聚二甲基硅氧烷的固含量值计算。

非活性颗粒为一种或多种有机基颗粒和一种或多种无机基颗粒，有机基颗粒选自由交联有机硅基颗粒、交联聚乙烯基颗粒、交联聚苯乙烯基颗粒和交联丙烯酸基颗粒组成的组；且无机基颗粒选自由二氧化硅颗粒、碳酸钙颗粒、氧化钛颗粒和氧化铝颗粒组成的组。

根据本发明的有机硅剥离膜含有雾度15％以下的基底膜。

进一步地，在形成含有非活性颗粒的有机硅剥离层时，相对于基底膜的雾度，有机硅剥离膜的雾度仅增加1％以下。

附图说明