[发明专利]EVS测试电路、EVS测试系统和EVS测试方法

权利要求书

1.一种电压应力(EVS)测试电路，包括：

第一开关和第二开关，所述第一开关和第二开关配置为接收正应力电压或负应力电压，

其中所述第一开关配置为向第一半导体器件的栅极提供正应力电压，并将所述第一半导体器件的栅极与负应力电压隔离开，并且

其中所述第二开关配置为向第二半导体器件的栅极提供负应力电压，并将正应力电压与所述第二半导体器件的栅极隔离开。

2.根据权利要求1所述的EVS测试电路，其中，所述第一开关和第二开关配置为在没有动力的情况下操作，所述动力为除所述正应力电压或负应力电压之外的动力。

3.根据权利要求1所述的EVS测试电路，其中，所述第一开关配置为响应于接收正应力电压而向第一半导体器件的栅极提供所述正应力电压，并响应于接收负应力电压而将所述负应力电压与所述第一半导体器件的栅极隔离开，并且

其中，所述第二开关配置为响应于接收负应力电压而向第二半导体器件的栅极提供所述负应力电压，并响应于接收正应力电压而将所述正应力电压与所述第二半导体器件的栅极隔离开。

4.根据权利要求1所述的EVS测试电路，其中，所述第一开关和第二开关配置为从单个外部焊垫接收所述正应力电压或负应力电压。

5.根据权利要求1所述的EVS测试电路，其中，所述第一开关包括p型半导体器件，并且其中所述第二开关包括n型半导体器件。

6.根据权利要求5所述的EVS测试电路，其中，所述第一开关包括p型半导体器件，所述p型半导体器件包括栅极、源极和漏极，

其中所述第二开关包括第一n型半导体器件和第二n型半导体器件，所述第一n型半导体器件和第二n型半导体器件分别包括栅极、源极和漏极，

其中所述p型半导体器件的栅极连接至所述第一n型半导体器件和第二n型半导体器件的栅极，并配置为接地，

其中所述第一n型半导体器件的源极连接至所述第二n型半导体器件的源极，

其中所述p型半导体器件的源极和所述第一n型半导体器件的漏极相连，并配置为从单个外部焊垫接收正应力电压或负应力电压，

其中所述p型半导体器件配置为当在所述源极处接收到正应力电压时，在所述漏极处提供正应力电压，并且当在所述源极处接收到负应力电压时，将负应力电压与所述漏极隔离开，并且

其中所述第一n型半导体器件和第二n型半导体器件配置为当在所述第一半导体器件的漏极处接收到负应力电压时，在所述第二n型半导体器件的漏极处提供负应力电压，并且当在所述第一半导体器件的漏极处接收到正应力电压时，将正应力电压与所述第二n型半导体器件的漏极隔离开。

7.一种电压应力(EVS)测试系统，包括：

单个外部焊垫，配置为接收正应力电压或负应力电压；

均包括栅极的第一半导体器件和第二半导体器件；以及

EVS测试电路，配置为将正应力电压或负应力电压从所述单个外部焊垫提供至所述第一半导体器件或所述第二半导体器件的栅极，所述EVS测试电路包括：第一开关和第二开关，所述第一开关和第二开关均连接至所述单个外部焊垫，所述第一开关连接至所述第一半导体器件，所述第二开关连接至所述第二半导体器件，并且所述第一开关和第二开关配置为从所述单个外部焊垫接收所述正应力电压或负应力电压，

其中所述第一开关配置为将所述单个外部焊垫处的正应力电压提供至所述第一半导体器件的栅极，并将所述单个外部焊垫处的负应力电压与所述第一半导体器件的栅极隔离开，并且

其中所述第二开关配置为将所述单个外部焊垫处的负应力电压提供至所述第二半导体器件的栅极，并将所述单个外部焊垫处的正应力电压与所述第二半导体器件的栅极隔离开。

8.根据权利要求7所述的EVS测试系统，其中，所述EVS测试电路配置为向所述第一半导体器件和第二半导体器件提供EVS测试，而不需要向所述EVS测试系统提供除所述正应力电压或负应力电压之外的动力。

9.根据权利要求7所述的EVS测试系统，其中，所述EVS测试电路配置为向所述第一半导体器件或所述第二半导体器件提供EVS测试，而不需要接入所述第一半导体器件或所述第二半导体器件的源极或漏极。