[发明专利]一种温敏自清洁聚偏氟乙烯膜及其制备方法

权利要求书

1.一种温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：以聚偏氟乙烯、二氧化钛及N-异丙基丙烯酰胺为主要原料。

2.根据权利要求1所述的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）二氧化钛/γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷纳米颗粒的制备

    将硅烷偶联剂γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷、去离子水和氨水加入到二氧化钛的乙醇分散溶液中，经超声、机械搅拌、离心和真空烘干后粉碎得到白色的二氧化钛/γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷纳米颗粒；

（2）二氧化钛/N-异丙基丙烯酰胺纳米颗粒的制备

    将二氧化钛/γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷纳米颗粒和引发剂加入到乙醇中，在氮气保护下控温70-75℃下搅拌反应24-48小时，离心真空干燥，粉碎分散，得到白色的二氧化钛/N-异丙基丙烯酰胺纳米颗粒；

（3）温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备

     将聚偏氟乙烯粉末、二氧化钛/N-异丙基丙烯酰胺纳米颗粒和成孔剂溶于二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺中配成含聚偏氟乙烯质量分数为10-20%的铸膜液，60-70℃下搅拌均匀；溶液冷却、脱泡、刮膜，放入去离子水凝固浴中，温度为20-40℃；去离子水清洗和自然晾干后得到二氧化钛/N-异丙基丙烯酰胺纳米颗粒/聚偏氟乙烯共混膜。

3.根据权利要求2所述的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）所述的氨水的浓度为15-25wt%。

4.根据权利要求2所述的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）乙醇和二氧化钛的质量比为20：1-50：1。

5.根据权利要求2所述的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中引发剂为偶氮二异丁腈或者过氧化二苯甲酰。

6.根据权利要求2所述的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中乙醇的体积是5mL-10mL。

7.根据权利要求2所述的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述的成孔剂为聚乙烯吡咯烷酮 、聚乙二醇类聚合物、KCl中的一种或多种。

8.根据权利要求2所述的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述的聚偏氟乙烯粉末和二氧化钛/N-异丙基丙烯酰胺纳米颗粒的质量比为1：20-5：20。

9.一种如权利要求1所述的方法制得的温敏自清洁聚偏氟乙烯膜。