[发明专利]一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜无效
| 申请号： | 201310097906.5 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103421505A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 赵健;钟伟杰;夏忠平 | 申请（专利权）人： | 上海显恒光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;C09K11/77;C09K11/81 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 生长 紫外 荧光 薄膜 | ||
1.一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，包括一单晶荧光薄膜，所述单晶荧光薄膜是基于液相外延法生长的多激活中心参杂的紫外单晶荧光薄膜，所述紫外单晶荧光薄膜受电子束激发后发射紫外光。
2.根据权利要求1所述的一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，其特征在于：所述多激活中心参杂的紫外单晶荧光薄膜为含有Y3+离子的单晶荧光薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，其特征在于：含有Y3+离子的单晶荧光薄膜为YAG:Pr单晶荧光薄膜、LuAG:Pr SCFs单晶荧光薄膜、YAG:Pr SCF单晶荧光薄膜、LuAG:Pr SCF单晶荧光薄膜、YAG:Pr SC单晶荧光薄膜、LuAg：Pr SC单晶荧光薄膜、YAP:Pr SCF单晶荧光薄膜、LuAP:Pr SCF单晶荧光薄膜、YAP:Pr SC单晶荧光薄膜中的一种。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，其特征在于：所述紫外单晶荧光薄膜紫外发光波宽在235nm-330nm之间。
5.根据权利要求1、2或3所述的一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，其特征在于：所述紫外单晶荧光薄膜厚度在10微米～50微米之间。
6.根据权利要求1、2或3所述的一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，其特征在于：所述紫外单晶荧光薄膜是受激发出长波紫外线、中波紫外线或短波紫外线的紫外单晶荧光薄膜。
7.根据权利要求1、2或3所述的一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，其特征在于：所述电子束是短脉冲电子束或直流电子束，短脉冲电子束或直流电子束分别以短脉冲或直流的方式激发所述紫外单晶荧光薄膜。
8.根据权利要求1、2或3所述的一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，其特征在于：所述紫外单晶荧光薄膜可作为紫外辐照光源的靶体晶体材料，在作为紫外辐照光源的靶体晶体材料时，所述紫外辐照光源设有一电子束发生器、一荧光屏，所述电子束发生器朝向所述荧光屏，所述荧光屏采用多层复合结构，多层复合结构中至少有一层为基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜构成的薄膜层。
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