[发明专利]CMOS太赫兹正交谐波振荡信号的产生方法及电路有效

专利信息
申请号: 201310094837.2 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN103236827A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 毛陆虹;闫冬 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: cmos 赫兹 正交 谐波 振荡 信号 产生 方法 电路
【权利要求书】:

1.一种CMOS太赫兹正交谐波振荡信号的产生电路,其特征是,由依次相连的多项振荡器,整流器,叠加器和滤波器组成,多项振荡器用于产生特定的间隔相同相位的振荡信号;整流器,用于将振荡器所产生的等相位间隔振荡信号滤去下半波,只留下上半波;叠加电路用于将通过整流之后相位差为180°的两路振荡信号叠加在一起;滤波器,用于滤除其他谐波成分。

2.如权利要求1所述的CMOS太赫兹正交谐波振荡信号的产生电路,其特征是,多项振荡器为八相位振荡器,是由四个完全相同的负阻振荡单元交叉耦合而成,多项振荡器为八相位振荡器,是由四个完全相同的负阻振荡单元交叉耦合而成,每个负阻振荡单元由7个MOSFET构成,本电路中所有PMOS的衬底接电源,所有NMOS的衬底接地。第1个PMOS的源极接电源,第1个PMOS的栅极接偏置电压,第1个PMOS的漏极接第2个、第3个PMOS的源极;第2个PMOS的栅极接第3个PMOS的漏极,第3个PMOS的栅极接第2个PMOS的漏极,第2个和第3个PMOS的漏极之间设置一个电感;第4个NMOS的漏极接第2个PMOS的漏极,第5个NMOS的漏极接第3个PMOS的漏极,第4个NMOS的栅极接第5个NMOS的源极,第5个NMOS的栅极接第4个NMOS的源极;第4个NMOS的源极接第6个NMOS的漏极,第5个NMOS的源极接第7个NMOS的漏极,第6个、第7个NMOS的源极共同接地。

3.一种CMOS太赫兹正交谐波振荡信号的产生方法,其特征是,包括下列步骤:

采用多相振荡器产生八个相位彼此相差π/4,即:

a=sinωt b=sin(ωt+π/4) c=sin(ωt+π/2) d=sin(ωt+3π/4)

e=sin(ωt+π) f=sin(ωt+5π/4) g=sin(ωt+3π/2) h=sin(ωt+7π/4)

整流叠加之后,A=a+e,B=b+f,C=c+g,D=d+h;

A=|sinωt|=4π(12-13cos2ωt-115cos4ωt-135cos6ωt+...)]]>

提取亚谐波项A=|sinωt|=4π(-13cos2ωt)]]>

B=|sinωt+π4|=4π(12+13sin2ωt+115cos4ωt-135sin6ωt+...)]]>

提取亚谐波项B=|sinωt+π4|=4π(13sin2ωt)]]>

C=|cosωt|=4π{12+13cos2ωt-115cos4ωt+135cos6ωt+...}]]>

提取亚谐波项C=|cosωt|=4π(13cos2ωt)]]>

D=|cosωt+π4|=4π(12-13sin2ωt+115cos4ωt+135sin6ωt+...)]]>

提取亚谐波项D=|cosωt+π4|=4π(-13sin2ωt)]]>

ABCD四路振荡信号均为相等幅度的二次谐波,它们之间的相位关系为:A和C互为差分,B和D互为差分,A和D是正交关系,B和C是正交关系,从而产生了二次谐波差分正交振荡信号。

4.如权利要求3所述的CMOS太赫兹正交谐波振荡信号的产生方法,其特征是,八个相位彼此相差π/4的振荡信号的产生是借用八相位振荡器实现,八相位振荡器是由四个完全相同的负阻振荡单元交叉耦合而成,四个固定振荡频率的振荡器,其输出端信号耦合到输入端,mn是耦合系数,Gn是振荡器的开环增益,振荡器的振荡频率是ω0,X、Y、Z、W是相位形式的振荡器输出,得到下面的式子

X=(m4W+X)G1(jω0)

Y=(m1X+Y)G2(jω0)

Z=(m2Y+Z)G3(jω0)

W=(-m3Z+W)G4(jω0)

j是复数虚部的单位,因为四个振荡器是完全相同的,所以G1=G2=G3=G4=G、m1=m2=m3=m4=m,由此可以进一步得到式子:

X=e±π4·Y]]>

Y=e±π2·W]]>

Z=e±π2·X]]>

W=e±π4·Z]]>

通过最终得到的式子可以看出,X、Y、Z、W之间存在π4的相位差。

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