[发明专利]双波段共光路共焦面成像系统有效
申请号: | 201310094728.0 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103207452A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 付强;张新;史广维;王灵杰;张建萍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | G02B27/00 | 分类号: | G02B27/00;G02B17/08;G01J5/08 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 南小平 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波段 共光路共焦面 成像 系统 | ||
1.双波段共光路共焦面成像系统,包括主镜(1)、次镜(2)、中继镜组(3)和焦平面探测器(8);其特征在于,
所述主镜(1)、次镜(2)、中继镜组(3)和焦平面探测器(8)在同一光轴上,所述主镜(1)的反射面和所述次镜(2)的反射面相对排布,所述主镜(1)开有中心孔,所述中继镜组(3)和焦平面探测器(8)位于所述主镜(1)的中心孔内,所述中继镜组(3)位于第一像面(4)与焦平面探测器(8)之间,主镜(1)和次镜(2)为卡塞格林结构形式;光束经主镜(1)反射后入射到次镜(2)上,由次镜(2)反射聚焦成像在第一像面(4)上;中继镜组(3)将第一像面(4)上的目标转像,聚焦到第二像面上;所述第二像面与焦平面探测器(8)的焦平面阵列(7)重合。
2.根据权利要求1所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述光学系统光谱透过范围为3μm-10μm,系统可对中波红外和长波红外同时成像。
3.根据权利要求1所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述的焦平面探测器(8)为制冷型探测器,包含焦平面探测器窗口(5)、焦平面探测器冷阑(6)和焦平面阵列(7),所述焦平面探测器冷阑(6)位于焦平面探测器窗口(5)和焦平面阵列(7)之间,所述焦平面探测器窗口(5)基于红外透过材料,所述焦平面阵列(7)为中波红外/长波红外双波段焦平面阵列(7)或宽波段焦平面阵列(7)。
4.根据权利要求1所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述主镜(1)为凹非球面反射镜,所述次镜(2)为凸非球面反射镜;所述主镜(1)和所述次镜(2)的材料为铝、碳化硅、铍、铍铝或微晶玻璃。
5.根据权利要求1所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述主镜(1)的反射面为标准二次曲面或高次非球面;所述次镜(2)的反射面为标准二次曲面或高次非球面。
6.根据权利要求1所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述中继镜组(3)包括沿同一光轴顺序放置的第一折射透镜(31)、第二折射透镜(32)、第三折射透镜(33)和第四折射透镜(34)。
7.根据权利要求6所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述第一折射透镜(31)基于Ge晶体材料,第一折射透镜前表面(311)为球面,第一折射透镜后表面(312)为非球面。
8.根据权利要求6所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述第二折射透镜(32)基于ZNS晶体材料,其第二折射透镜前表面(321)和第二折射透镜后表面(322)均为球面。
9.根据权利要求6所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述第三折射透镜(33)基于BaF2晶体材料,其第三折射透镜前表面(331)和第三折射透镜后表面(332)均为球面。
10.根据权利要求6所述的双波段共光路共焦面成像系统,其特征在于,所述第四折射透镜(34)基于ZnSe晶体材料,其第四折射透镜前表面(341)为非球面,第四折射透镜后表面(342)为球面。
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