[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 201310091672.3 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN103365003A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 平塚崇人;伊东理;山本昌直;园田大介 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器东 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置,特别涉及视野角特性优异且可以实现高精细画面的IPS方式的液晶显示装置。
背景技术
使用于液晶显示装置的液晶显示面板配置有:具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素形成为矩阵状的TFT基板;与TFT基板相对且在与TFT基板的像素电极对应处形成滤色片等的对向基板,在TFT基板和对向基板之间夹持有液晶。而且,通过对每个像素控制液晶分子的光的透射率,从而形成图像。
液晶显示装置由于平坦且质量轻,因此,在各领域被广泛使用。对于便携式电话或DSC(Digital Still Camera)等,广泛使用小型的液晶显示装置。液晶显示装置的视野角特性存在问题。视野角特性为在从正面观察画面和从斜方向观察画面时,存在亮度变化或色度变化的现象。对于视野角特性,通过水平方向的电场使液晶分子动作的IPS(In Plane Switching)方式具有优异的特性。
IPS方式也存在多种,例如,专利文献1记载了如下的结构:在图4中,在决定TFT基板和对向基板的空间的柱状隔垫的壁的部分形成电极,向其与形成于TFT基板的电极之间施加电压,高效地产生横电场。
专利文献1:(日本)特开平6-214244号公报
中小型液晶显示装置的高端产品使用具有WVGA以上分辨率(800×480)的精细度的高精细显示装置。在这种高精细显示中,面板的透射率存在问题。另外,也提出了更高精细的画面的要求,在这种画面中,面板透射率更存在问题。另外,随着变为高精细,向像素的电极施加的电压对相邻的像素存在影响,产生像素间的污染,使画质变差。
因此,为了进一步与高精细画面对应,正在研发在像素上形成壁,在该壁形成像素电极或公共电极的、所谓的壁电极IPS。壁电极IPS可以提高显示模式的效率。在此,显示模式的效率提高是指横方向的电力线的比例增大,从而可以提高IPS方式的效率;由于形成壁状的电极,因此,可以在像素整体产生电场。因此,可以减小对像素电极施加的电压等。
壁电极IPS与现有IPS方式相比,可以减小对液晶层施加的电压强度,但是,由于液晶层的电场强度弱,因此,当在像素内产生逆扭转方向的电场时,顺扭转和逆扭转的液晶对抗,产生像素内的液晶不动作的区域,所谓的畴(domain)。因此,产生像素内的透射率分布不均匀,透射率大幅降低的问题。
发明内容
本发明的课题在于提供一种液晶显示装置,其在壁电极IPS中,防止像素内的畴的发生,防止像素的透射率的减少。
本发明克服上述问题,主要的方法如下。
(1)一种液晶显示装置,具有如下的像素结构:沿平面为长方形的像素的长边形成大壁,在所述像素的中央形成沿与所述大壁相同的方向延伸的小壁,在所述大壁的壁面形成壁电极,在所述小壁与大壁之间形成平面电极,所述壁电极和所述平面电极构成像素电极,在所述小壁的表面形成公共电极,其特征在于,所述大壁在像素端部具有厚度增大的部分,所述壁电极具有向所述像素的中央方向弯曲的结构。
(2)一种液晶显示装置,具有如下的像素结构:沿平面为长方形的像素的长边形成大壁,在所述像素的中央形成沿与所述大壁相同的方向延伸的小壁,在所述大壁的壁面形成壁电极,在所述小壁与大壁之间形成平面电极,所述壁电极和所述平面电极构成像素电极,在所述小壁的表面形成公共电极,其特征在于,所述大壁在像素端部具有厚度增大的部分,所述壁电极具有向所述像素的中央方向弯曲的结构,所述小壁在所述像素端部沿远离弯曲的所述壁电极的方向弯曲。
(3)一种液晶显示装置,具有如下的像素结构:沿平面为长方形的像素的长边形成大壁,在所述像素的中央形成沿与所述大壁相同的方向延伸的小壁,在所述大壁的壁面形成壁电极,在所述小壁与大壁之间形成平面电极,所述壁电极和所述平面电极构成像素电极,在所述小壁的表面形成公共电极,其特征在于,所述大壁在像素端部具有厚度增大的部分,所述壁电极具有向所述像素的中央方向弯曲的结构,所述小壁形成为比所述大壁长,所述小壁比所述大壁长的部分沿远离弯曲的所述壁电极的方向弯曲。
根据本发明,在具有所谓壁电极的IPS方式的液晶显示装置中,可以防止像素的畴的发生,因此,能实现高精细画面且透射率高、高亮度的液晶显示装置。
附图说明
图1是实施例1的像素的平面图;
图2是图1中A-A’的剖面图;
图3是图1中B-B’的剖面图;
图4(a)、(b)是表示将本发明的作用和现有例进行比较的平面图;
图5是表示实施例1的壁电极的弯曲量和透射率关系的图;
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