[发明专利]发光元件及显示装置无效

专利信息
申请号: 201310091396.0 申请日: 2013-03-21
公开(公告)号: CN103367650A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 神户江美子;海老原洋平;中村雅人;花轮幸治;山田二郎 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贾静环
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种发光元件,其包括:

第一电极;

形成在所述第一电极上的具有发光层的有机层;

形成在所述有机层上的电荷产生层;

形成在所述电荷产生层上的电阻层;以及

形成在所述电阻层上的第二电极,

其中,所述第一电极反射从所述发光层发射的光,和所述第二电极透过从所述发光层发射的光,和

其中,所述电荷产生层包括从有机层侧起依次的如下层的层状结构:含有螯合材料、和碱土金属元素或碱金属元素的混合层,以及含有受体材料的受体层。

2.根据权利要求1所述的发光元件,

其中,包含在所述电阻层中的材料的电阻率为1×102Ω·cm~1×106Ω·cm,以及

其中,所述有机层上的所述电阻层的厚度为0.1μm~2μm。

3.根据权利要求2所述的发光元件,

其中,所述受体层至少包含由如下化学式1表示的化合物:

...化学式1

其中,在上述化学式1中,Ar表示芳基,R表示氢原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有1至10个碳原子的烷氧基、具有1至10个碳原子的二烷基胺基、卤素、氰基、或取代或未取代的甲硅烷基。

4.根据权利要求3所述的发光元件,

其中,所述螯合材料至少包含菲咯啉衍生物,该菲咯啉衍生物含有至少

一个由如下化学式2表示的菲咯啉环:

...化学式2

5.根据权利要求4所述的发光元件,

其中,所述混合层含有所述螯合材料、以及Li和Cs中的一种。

6.根据权利要求5所述的发光元件,

其中,在所述混合层中的所述螯合材料和所述碱土金属元素或碱金属元素的混合摩尔比为1:5~2:1。

7.一种显示装置,其包括:

发光元件,该发光元件包括:

第一电极;

形成在所述第一电极上的具有发光层的有机层;

形成在所述有机层上的电荷产生层;

形成在所述电荷产生层上的电阻层;以及

形成在所述电阻层上的第二电极,

其中,所述第一电极反射从所述发光层发射的光,和所述第二电极透过从所述发光层发射的光,以及

其中,所述电荷产生层包括从有机层侧起依次的如下层的层状结构:含有螯合材料、和碱土金属元素或碱金属元素的混合层,以及含有受体材料的受体层。

8.一种发光元件,其包括:

第一电极;

在所述第一电极上的包括有机发光材料的发光层的有机层;

在所述有机层上的第一电阻层;

在所述第一电阻层上的包括如下材料的第二电阻层,所述材料的电阻率低于包含在所述第一电阻层中的材料;以及

在所述第二电阻层上的第二电极,

其中,所述第一电极和所述第二电极中的一个反射来自所述发光层的光且所述第一电极和所述第二电极中的另一个透过来自所述发光层的光,以及

其中所述第一电阻层和所述第二电阻层的总厚度为1μm以上。

9.根据权利要求8所述的发光元件,

其中,包含在所述第一电阻层中的材料的电阻率是1×106Ω·m以上和1×1010Ω·m,以及

其中,所述第一电阻层的厚度是0.1μm以上且1μm以下。

10.根据权利要求9所述的发光元件,

其中,包含在所述第二电阻层中的材料的电阻率是1×100Ω·m以上和1×105Ω·m,以及

其中,所述第二电阻层的厚度是0.5μm以上。

11.根据权利要求10所述的发光元件,

其中,所述第一电阻层和所述第二电阻层由氧化物半导体制成。

12.根据权利要求11所述的发光元件,

其中,所述第一电极设置在基板上。

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