[发明专利]一种基于FPGA实现多片Nandflash存储及读取的装置

权利要求书

1.一种基于FPGA实现多片NandFlash存储及读取的装置，其中该装置包括：

Nandflash存储器组，包含多片Nandflash芯片组成的存储器阵列，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据；

Nandflash存储及读取功能选择器，用于对所述Nandflash存储器组进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述Nandflash存储器组包括FPGA与Nandflash存储器组的硬件连接，用于为Nandflash存储及读取功能选择器2控制Nandflash提供通信；IO线及控制线的硬件连接，其中所述IO线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息；所述控制线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写命令的控制信号。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述Nandflash存储器组进一步包括：

FPGA与Nandflash存储器组的IO连接，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息。

FPGA与Nandflash存储器组连接的控制线，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写命令的控制信号。

Nandflash存储器阵列，包括8片Nandflash存储芯片，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据。

4.如权利要求1所述的装置，其中Nandflash存储及读取功能选择器进一步用于：

等待外部启动命令及参数设定，用于待机，等待外部信号给出的命令，从而决定Nandflash存储及读取功能选择器进入哪一项操作；读取Nandflash存储器组的ID信息及检测Nandflash存储器组是否正常工作；读取Nandflash存储器组的数据，用于读取Nandflash存储器组中的数据，并通过外部FIFO2缓存，将读取的数据通过LVDS信号线传给DSP板；向Nandflash存储器组写入数据，将外部FIFO1中缓存的ADC采样数据存储到Nandflash存储器组中；擦除Nandflash存储器组中的数据。

5.如权利要求1-4中任一权利要求所述的装置，其中可以通过设置可扩展式多组Nandflash存储器组架构和可扩展式多组Nandflash存储及读取功能选择器来对该装置进行扩展，其中，可扩展式多组Nandflash存储器组架构是多组Nandflash存储器并行扩展而成，多组Nandflash存储及读取功能选择器由多组Nandflash存储及读取功能选择器并行扩展而成。