[发明专利]一种高线性度正交调制器射频集成电路无效
申请号: | 201310086136.4 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103166902A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 李奚鹏 | 申请(专利权)人: | 苏州朗宽电子技术有限公司 |
主分类号: | H04L27/36 | 分类号: | H04L27/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215500 江苏省苏州市常熟市东南经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 线性 正交 调制器 射频 集成电路 | ||
1.一种正交调制器射频集成电路,其特征在于包括高线性度混频器核、共用负载电路、前置四分频器模块和共模反馈电路,其中混频器核是整个电路的核心,采用一种新型的电路结构来提升系统的变频线性度;前置四分频器主要产生严格的正交差分本振信号;共模反馈电路包括共模电位取出电路和误差运放。
2.本发明通过同相和正交两路混频输出信号以电流方式在共用负载电路上进行叠加,产生高镜象抑制度的单边带射频信号,通过输出共模反馈电路控制输出差分信号的直流工作点,使得本模块易于和射频发射机前端模块进行接口。
3.根据权利要求1所述的正交调制器射频芯片,其特征在于所述高线性度混频器核包括同相支路和正交支路,以同相支路为例,它包括M1~M8共8只MOS场效应晶体管,其中M1~M4为N型MOS管,M5~M8为P型MOS管。
4.具体的,M1和M5、M2和M6、M3和M7、M4和M8分别源漏端相接;M5和M6、M7和M8分别接成并联形式;M1和M2、M3和M4分别接成差分对形式;M1和M3、M2和M4分别漏端相连且从这里取出输出信号电流。
5.根据权利要求1所述的正交调制器射频芯片,其特征在于所述共模反馈电路包括共模电平取出电路和误差运算放大器。
6.共模电平通过串行连接的两个电阻R1、R2中间取出,该电平送到误差运放的正输入端,与基准电压进行比较,产生控制信号反馈回作为共用负载电流源的晶体管M9、M10的栅极,进而调整输出共模电平的大小。
7.当共模电压值漂高时,误差放大器输出电压上升,控制M9、M10使得晶体管输出电流变小,从而输出共模电平被强制拉下来。
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