[发明专利]一种非易失性存储器

说明书

技术领域

本发明涉半导体技术领域，特别是涉及一种非易失性存储器。

背景技术

在传统非易失性存储器Cell Array(存储单元布局)中，以Sector_x(扇区)为例，当对Sector_x进行Erase(擦除)操作时，如果发生突然掉电或者Erase Suspend(暂停擦除)，那么Sector_x中的Cell就有可能存在大量的过擦除单元(Over Erased Cell)，那么当对与之相邻Sector_x-1进行操作时，Sector_x-1中与Sector_x相邻的WordLine(字线)WLN就会Couple(耦合)Sector_x中的WordLine(字线)WL1，如果WL1里Cell恰好存在前述的Over Erased Cell(过擦除单元)，那么就会造成BitLine(位线)漏电，从而导致对Sector_x-1的操作失败。

以传统的非易失性存储器为例，参照图1，所示为一种传统非易失性存储器的结构框图。Sector_x-2、Sector_x-1、Sector_x、Sector_x+1代表Cell Array的4个连续Sector，其中，Sector是非易失性存储器进行Erase擦除操作的最小单位，多个Sector组成一个Block，整个非易失性存储器则由多个Block组成。每个Sector由N条WL组成。以Sector_x为例，由WL1、WL2......WLN共N条WordLine组成。每条WordLine由M个存储器Cell单元组成，其漏端分别连接到一条BitLine上，因此共有M条BitLine，即BL1、BL2......BLM；其源端两两复用后全部连接到VSOURCE电压上。图2所示的传统非易失性存储器Cell Array存在一个容易忽略但很严重的问题(仍以Sector_x为例说明)，当对Sector_x进行Erase操作时，如果发生突然掉电或者Erase Suspend(擦除暂停)，那么Sector_x中的Cell就有可能存在大量的Over Erased Cell，那么当对与之相邻的Sector_x-1进行操作时，Sector_x-1中与Sector_x相邻的WordLine WLN就会Couple(耦合)Sector_x中的WordLine WL1，如果WL1里Cell单元恰好存在前述的OvefErased Cell，那么就会造成BitLine漏电，从而导致对Sector_x-1的操作失败。

因此，本领域技术人员迫切需要解决的问题之一在于，提出了一种非易失性存储器，可以有效预防过擦除漏电流，保证非易失性存储器能安全使用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种的非易失性存储器，可以有效预防过擦除漏电流，保证非易失性存储器能安全使用。

为了解决上述问题，本发明公开了一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括多个扇区，所述扇区包括N条字线及M条位线，其中，每条字线包括M个存储单元，所述M个存储单元的栅端相连，所述M个存储单元的漏端分别连接到M条位线上，相邻字线中存储单元的源端两两复用后连接到电源电压VSOURCE；所述非易失性存储器还包括：

在相邻扇区间连接K条字线Dummy WordLine；其中，K为偶数。

优选地，所述K为2。

优选地，所述在相邻扇区间连接K条字线Dummy WordLine，每条字线Dummy WordLine中相邻存储单元的栅端相连，其相邻字线Dummy WordLine中存储单元的源端两两复用后连接到电源电压VSOURCE。

优选地，所述在相邻扇区间连接K条字线Dummy WordLine，每条字线Dummy WordLine中存储单元的漏端分别连接到M条位线上。

与现有技术相比，本发明包括以下优点：

在现有非易失性存储器存储单元布局Cell Array的基础上在相邻Sector间间插了字线Dummy WordLine，可以有效解决传统非易失性存储器存储单元布局中相邻Sector间相邻的字线耦合可能带来的过擦除漏电的安全隐患。