[发明专利]湿法刻蚀工艺、设备和太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种湿法刻蚀工艺，其特征在于，包括：

使用第一腐蚀液对太阳能电池片的下表面及侧面进行腐蚀，以去除所述太阳能电池片下表面及侧面的磷硅玻璃层，所述第一腐蚀液为氢氟酸溶液；

使用碱液对所述太阳能电池片下表面进行腐蚀，以去除所述太阳能电池片下表面的PN结，同时实现所述太阳能电池片下表面的抛光效果；

使用含有氢氟酸的第二腐蚀液对所述太阳能电池片进行腐蚀，以去除所述太阳能电池片上表面的磷硅玻璃层。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，

所述第一腐蚀液为体积百分比5％～10％的氢氟酸溶液。

3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，

所述碱液为体积百分比20％～30％，温度60℃～80℃的氢氧化钠或氢氧化钾溶液。

4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，

所述第二腐蚀液为体积百分比5％～10％的氢氟酸和体积百分比1％～10％的盐酸的混合液。

5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述使用第一腐蚀液对太阳能电池片下表面及侧面进行腐蚀，以去除所述太阳能电池片下表面及侧面的磷硅玻璃层之前，还包括：

在所述太阳能电池片上表面形成一层水膜，在后续腐蚀时保护所述太阳能电池片的上表面。

6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，在对所述太阳能电池片进行腐蚀后，所述湿法刻蚀工艺还包括：

对腐蚀后的太阳能电池片进行清洗。

7.一种太阳能电池制造方法，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的湿法刻蚀工艺。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，

所述湿法刻蚀工艺之前包括：在所述太阳能电池片上进行制绒工序，以及在所述太阳能电池片中制造PN结；

所述湿法刻蚀工艺之后还包括：在所述太阳能电池片上表面沉积减反射膜。

9.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，按太阳能电池片经过的先后顺序，所述湿法刻蚀设备依次包括：

第一酸洗槽，内置有第一腐蚀液，所述第一酸洗槽内设置有用于支撑太阳能电池片的下滚轮，所述下滚轮的设置高度以使太阳能电池片只有下表面及侧面接触第一腐蚀液为准，所述第一腐蚀液为氢氟酸溶液；

第一漂洗槽，内置有纯水；

碱洗槽，内置有碱液，所述碱洗槽内也设置有用于支撑太阳能电池片的下滚轮，所述下滚轮的设置高度以使所述太阳能电池片只有下表面及侧面接触所述碱液为准；

第二漂洗槽，内置有纯水；

第二酸洗槽，内置有第二腐蚀液，所述第二酸洗槽内设置有用于支撑太阳能电池片的下滚轮和限制所述太阳能电池片位置的上滚轮，所述上滚轮及所述下滚轮的设置高度以使所述太阳能电池片上表面能浸入所述第二腐蚀液为准，所述第二腐蚀液为氢氟酸和盐酸的混合液；

第三漂洗槽，内置有纯水；

风干槽，内置有干洁气源，用于干燥所述太阳能电池片。

10.根据权利要求9所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述湿法刻蚀设备还包括：

设置在所述第一酸洗槽之前的水喷淋槽，所述水喷淋槽上方设置有水喷淋系统，所述水喷淋系统用于在所述太阳能电池片上表面喷水，利用磷硅玻璃层的亲水性在所述太阳能电池片上表面覆盖一层水膜。

11.根据权利要求9所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，

所述第一腐蚀液为体积百分比5％～10％的氢氟酸溶液。

12.根据权利要求9所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，

所述碱液为体积百分比20％～30％，温度60℃～80℃的氢氧化钠或氢氧化钾溶液。

13.根据权利要求9所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，

所述第二腐蚀液为体积百分比5％～10％的氢氟酸和体积百分比1％～10％的盐酸的混合液。

14.一种太阳能电池，包括具有P型层和N型层的基底，所述基底的一侧有背电极，所述基底的另一侧有减反射膜，所述减反射膜上有穿过所述减反射膜并与所述基底接触的前电极，其特征在于，所述太阳能电池在制造过程中经历过权利要求1-7任一项所述的湿法刻蚀工艺。