[发明专利]含聚酰胺酸的形成下层防反射膜的组合物

权利要求书

1.一种形成下层防反射膜的组合物，该组合物用于形成能够通过碱性显影液与光致抗蚀剂一起显影的下层防反射膜，其特征在于，含有具有式（1）和式（2）所示结构的聚酰胺酸：

式中，A₁和A₂表示4价的有机基团，B₁表示3价的有机基团，B₂表示2价的有机基团、

具有至少两个环氧基的化合物、

对波长为365nm的光的摩尔吸光系数为5000～100000（1/mol·cm）的吸光性化合物、

和溶剂，

上述聚酰胺酸是通过（a）四羧酸二酐化合物、（b）具有至少1个羧基的二胺化合物、和（c）二胺化合物反应制造的聚酰胺酸，其中（b）具有至少1个羧基的二胺化合物在使用的全部二胺化合物中所占的比例为10～60质量%，

所述吸光性化合物是选自2-(4-二乙基氨基-2-羟基苯甲酰基)苯甲酸、2-(4-二丁基氨基-2-羟基苯甲酰基)苯甲酸、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮、2,3,3’,4,4’,5’-六羟基二苯甲酮、地衣酸、苯芴酮、玫红酸、1,8,9-三羟基蒽、2-(4-羟基苯基偶氮)苯甲酸、甲基红、4,4’-二氨基二苯甲酮、5,5’-亚甲基-二（2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮）、3,4-二氨基二苯甲酮和α-氨基-4-羟基肉桂酸中的化合物。

2.如权利要求1所述的形成下层防反射膜的组合物，其特征在于，上述（a）四羧酸二酐化合物是具有至少一个苯环结构的四羧酸二酐化合物。

3.如权利要求1所述的形成下层防反射膜的组合物，其特征在于，上述（b）具有至少1个羧基的二胺化合物是具有至少一个苯环结构的二胺化合物。

4.如权利要求1所述的形成下层防反射膜的组合物，其特征在于，上述（c）二胺化合物是具有2个苯环结构的二胺化合物。

5.如权利要求1所述的形成下层防反射膜的组合物，其特征在于，上述具有至少两个环氧基的化合物是具有3～5个环氧基的化合物。

6.如权利要求1所述的形成下层防反射膜的组合物，其特征在于，进一步含有萘甲酸化合物。

7.如权利要求1所述的形成下层防反射膜的组合物，其特征在于，进一步含有重氮萘醌磺酸化合物。

8.一种用于制造半导体器件的光致抗蚀剂图案的形成方法，包括下述工序：将在权利要求1～7的任一项中所述的形成下层防反射膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤来形成下层防反射膜的工序；在上述下层防反射膜上形成光致抗蚀剂层的工序；曝光上述下层防反射膜和上述光致抗蚀剂层所被覆的半导体基板的工序；在曝光后，通过碱性显影液显影的工序。

9.如权利要求8所述的光致抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，上述曝光是通过365nm或432nm的波长的光进行的。