[发明专利]摆式电涡流调谐质量阻尼器装置

权利要求书

1.摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，安装在结构基础上，其特征在于，所述的阻尼器装置包括支架、钢索、索长调节器、质量块、永磁体调节架、永磁体、铜板、导磁铁板、铜板及导磁铁板调节架、限位器及限位阻尼器，其中，

所述的质量块由钢板通过螺栓连接制成，通过钢索悬挂在支架上，所述的索长调节器安装在支架上对钢索的长度进行调整；

所述的永磁体通过螺钉安装在永磁体调节架上，该永磁体调节架安装在质量块底部；

所述的导磁铁板叠合在铜板底部，铜板与导磁铁板通过螺栓连接在铜板及导磁铁板调节架上，该铜板及导磁铁板调节架安装在结构基础上，

所述的限位器设置在质量块底部外围，所述的限位阻尼器一端连接在限位器上，另一端连接在下方的结构基础上。

2.根据权利要求1所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的支架还可以为结构体。

3.根据权利要求1所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的质量块由钢板堆叠构成，钢板的数量可以根据需要进行增减。

4.根据权利要求1所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的索长调节器通过上下移动调节钢索长度，实现对质量块摆动半径的调节。

5.根据权利要求1所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的永磁体、铜板、导磁铁板、永磁体调节架、铜板及导磁铁板调节架组成电涡流阻尼器，该电涡流阻尼器设置在质量块底部与结构基础之间，其中，

所述的永磁体与铜板之间的相对运动产生的电涡流阻尼效应提供TMD阻尼比，

所述的永磁体的N极S极在同一工作面上间隔排列，一个N极向外的永磁体旁边为一个S极向外的永磁体，闭合相邻永磁体的磁场不浪费磁能，永磁体的底部吸附在永磁体调节架上，通过永磁体调节架闭合磁场，

所述的铜板及导磁铁板调节架内部设置有连杆机构，旋转调节螺钉，连杆机构的运动同步调节永磁体或铜板角度与高度，该角度与高度由钢索确定的质量块摆长确定。

6.根据权利要求5所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，

所述的永磁体的形状根据分布面确定，为方形、圆形或多边形，永磁体材料为铷铁硼或钐钴，尺寸及厚度根据磁能量的需求确定，

所述的铜板为纯铜制成的低电阻体，形状根据分布面确定，为方形、圆形或多边形，铜板的尺寸及厚度根据磁能量的需求和TMD整体阻尼比确定，

所述的导磁铁板为纯铁制成，为方形、圆形或多边形，导磁铁板的尺寸及厚度根据磁能量的需求和TMD整体阻尼比确定，

所述的永磁体与铜板之间的间隙通过铜板及导磁铁板调节架进行调整，所述的间隙由TMD整体阻尼比确定。

7.根据权利要求5或6所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的永磁体、铜板、导磁铁板的外侧设置有金属镀层及树脂镀层并涂刷油漆。

8.根据权利要求6所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的永磁体相对铜板运动最大行程，由质量块大震下控制位移确定。

9.根据权利要求1所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的限位器直径由质量块大震下控制位移确定。

10.根据权利要求1所述的摆式电涡流调谐质量阻尼器装置，其特征在于，所述的限位阻尼器行程及额定载荷由质量块大震下控制位移及最大回复力确定。