[发明专利]跨导电路和混频器

权利要求书

1.一种跨导电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一阻抗、第二阻抗、第一输入网络和第二输入网络，

所述第一晶体管的栅极通过所述第一输入网络连接到所述跨导电路的第一输入端，所述第一晶体管的漏极连接到所述跨导电路的第一输出端；

所述第二晶体管的栅极通过所述第二输入网络连接到所述跨导电路的第二输入端，所述第二晶体管的漏极连接到所述跨导电路的第二输出端，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极通过电感或电阻相连接并且接地；

所述第一晶体管的栅极通过所述第一输入网络和所述第一阻抗连接到所述第二晶体管的源极，所述第一输入网络和所述第一阻抗串联连接；

所述第二晶体管的栅极通过所述第二输入网络和所述第二阻抗接到所述第一晶体管的源极，所述第二输入网络与所述第二阻抗串联连接。

2.根据权利要求1所述的跨导电路，其特征在于，所述第一输入网络包括第一电容和第三电容，所述第二输入网络包括第二电容和第四电容，所述第一晶体管的栅极通过所述第一电容连接到所述跨导电路的第一输入端，所述第一晶体管的漏极连接到所述跨导电路的第一输出端；

所述第二晶体管的栅极通过所述第二电容连接到所述跨导电路的第二输入端，所述第二晶体管的漏极连接到所述跨导电路的第二输出端；

所述第一晶体管的栅极通过所述第一阻抗和所述第三电容连接到所述第二晶体管的源极；

所述第二晶体管的栅极通过所述第二阻抗和所述第四电容连接到所述第一晶体管的源极。

3.根据权利要求2所述的跨导电路，其特征在于，所述第一晶体管的源极通过所述第二阻抗、所述第四电容和所述第二电容连接到所述跨导电路的第二输入端；

所述第二晶体管的源极通过所述第一阻抗、所述第三电容和所述第一电容连接到所述跨导电路的第一输入端。

4.根据权利要求2所述的跨导电路，其特征在于，所述第一晶体管的栅极通过所述第一电容连接到所述跨导电路的第一输入端，所述第一晶体管的源极通过所述第二阻抗和所述第四电容连接到所述跨导电路的第二输入端；

所述第二晶体管的栅极通过所述第二电容连接到所述跨导电路的第二输入端，所述第二晶体管的源极通过所述第一阻抗和所述第三电容连接到所述跨导电路的第一输入端。

5.根据权利要求2所述的跨导电路，其特征在于，所述第一晶体管的栅极通过所述第一电容和所述第三电容连接到所述跨导电路的第一输入端，所述第一晶体管的源极通过所述第二阻抗和所述第二电容连接到所述跨导电路的第二输入端；

所述第二晶体管的栅极通过所述第二电容和所述第四电容连接到所述跨导电路的第二输入端，所述第二晶体管的源极通过所述第一阻抗和所述第一电容连接到所述跨导电路的第一输入端。

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的跨导电路，其特征在于，

所述第一输入端和所述第二输入端输入差分射频信号；

或者，

所述第一输入端和所述第二输入端之一连接单端射频信号，所述第一输入端和所述第二输入端中的另一个接地。

7.根据权利要求2至6中的任一项所述的跨导电路，其特征在于，

所述第一晶体管的源极通过第一电感接地，所述第二晶体管的源极通过第二电感接地，

或者，

所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极通过差分电感接地。

8.根据权利要求2至7所述的跨导电路，其特征在于，所述第一输入网络还包括：第一电阻器，所述第二输入网络还包括：第二电阻器，其中所述第一晶体管的栅极通过所述第一电阻器施加有偏置电压，所述第二晶体管的栅极通过所述第二电阻器施加有偏置电压。

9.根据权利要求2至8中的任一项所述的跨导电路，其特征在于，所述第一晶体管为场效应管或三极管，所述第二晶体管为场效应管或三极管。

10.一种混频器，其特征在于，包括：输入跨导级电路、开关级电路和负载级电路，所述输入跨导级电路通过所述开关级电路与所述负载级电路相连接，其中所述输入跨导级电路为如权利要求1至9中的任一项所述的跨导电路。

11.根据权利要求10所述的混频器，其特征在于，还包括：电流抽取级电路，连接在所述输入跨导级电路的第一输出端和第二输出端与所述开关级电路之间，用于抽取流过所述开关级电路和所述负载级电路的电流。

12.根据权利要求10或11所述的混频器，其特征在于，

所述负载级电路包括：第三电阻和第四电阻构成的差分输出接口电路，

或者，

所述负载级电路包括：第三电感、第四电感和N:1的巴伦器件构成的输出接口电路，其中N:1为巴伦器件的线圈的匝数比，N为正整数。