[发明专利]电光装置及电子设备

说明书

本申请是申请日为2008年8月7日、申请号为200810144911.6、发明名称为“电光装置及电子设备”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明，涉及例如液晶装置等的电光装置、及具备有该电光装置的例如液晶投影机等的电子设备的技术领域。

背景技术

作为这种电光装置之一例的液晶装置，也多用作例如投影型显示装置的光调制单元（光阀）。尤其在投影型显示装置的情况下，因为来自光源的强光入射于液晶光阀，所以为了液晶光阀内的薄膜晶体管（TFT：Thin Film Transistor）不会由于该光产生泄漏电流的增大、误工作等，作为遮挡入射光的遮光单元的遮光膜内藏于液晶光阀。更具体地，如此的遮光膜，通过构成包括为了在每像素对像素电极进行驱动而在显示区域中纵向横向地相交叉所布线的数据线及扫描线、进而在每像素电连接于扫描线及数据线的TFT的各种元件等的导电膜的至少一部分所形成，或者除此之外或代替于此，有时也另外用于仅简单地承担作为遮挡入射光的遮光单元的作用而作为对应于数据线及扫描线的平面的图形形状的栅格状或者条带状的图形所形成。

在如此的基板上的形成有遮光膜的区域、即在基板上不让光透射的非开口区域，用于使TFT与像素电极进行电连接的接触孔，开孔于对像素电极、与形成于比其下层侧的各种布线、TFT等的电子元件进行层间绝缘的层间绝缘膜（例如参照专利文献1）。

【专利文献1】特开2004-198849号公报

可是，为了谋求应当按照显示图像的高质量化的一般性要求的电光装置的高清晰化或者像素间距的窄距化，为了谋求应当显示更明亮的图像的像素的高开口率化，在使设置于相互相邻的像素间的遮光膜的宽度简单地变窄的情况下，存在光变得容易向TFT进行入射、即相对于TFT的遮光性有可能下降的技术性问题点。进而，在使如此的遮光膜的宽度简单地变窄的情况下，存在虽然在非开口区域中确保用于设置接触孔的空间，但是制造工序上或者设计上变得困难的技术性问题点。

发明内容

本发明，鉴于例如上述的问题点所作出，目的在于提供能够提高相对于晶体管的遮光性、并使开口率提高，可以显示明亮而高质量的图像的电光装置，具备该电光装置的电子设备。

本发明的电光装置为了解决上述问题，在基板上，具备数据线，电连接于该数据线的晶体管，对应于该晶体管所设置的像素电极，覆盖前述晶体管的半导体层地所设置的遮光部，与前述遮光部重叠地所设置、形成于比前述像素电极下层侧且比前述半导体层上层侧的第1导电膜，和通过层间绝缘膜形成于比该第1导电膜上层侧并通过开孔于前述层间绝缘膜的接触孔与前述第1导电膜电连接的第2导电膜；前述遮光部，具有伸出于对应于前述像素电极的各像素的开口区域的角落的伸出部分；前述接触孔，以前述基板上俯视，与前述伸出部分至少部分性地重叠。

若依照于发明的电光装置的电光装置，则例如，可以进行由控制从数据线向像素电极的图像信号的供给的、所谓有源矩阵方式产生的图像显示。

在此，本发明中的所谓“开口区域”，是实质上使显示光进行出射的像素内的区域，是形成由例如ITO（Indium Tin Oxide，铟锡氧化物）等的透明导电采样构成的像素电极而光进行透射的区域，是可以相应于透射率的改变而使逸出液晶等的电光物质的出射光的灰度等级进行变化。若换言之，则所谓“开口区域”，是指除了聚光于像素的光以不让光透射、或者光透射率相比于透明电极相对较小的布线、遮光膜、及各种元件等的遮光体所遮挡非开口区域之外的区域。在此所谓“非开口区域”，是指参与显示的光不进行透射的区域，是指例如在像素内配设非透明的布线或者电极、或各种元件等的遮光体的区域。进而所谓“开口率”，是指像素的将开口区域及开口区域相加的尺寸中的开口区域的比例。

像素电极，在基板上应当成为显示区域的区域例如矩阵状地设置多个。并且，数据线、晶体管、第1及第2导电膜、以及其他用于对像素电极进行驱动的各种构成要件，形成于非开口区域。

晶体管具有的半导体层，例如，形成于非开口区域之中、对应于数据线及扫描线相交叉的交叉区域。

第1导电膜，形成于比像素电极下层侧且比半导体层上层侧。第2导电膜，通过层间绝缘膜形成于比第1导电膜上层侧。第1及第2导电膜，通过开孔于层间绝缘膜的接触孔互相电连接。还有，层间绝缘膜既可以作为由1层构成的单层膜，也可以作为具有2层以上的叠层结构的多层膜所形成。