[发明专利]用于复杂结构半导体器件的激光退火方法

权利要求书

1.一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法，在实施激光退火时，经过整形、汇聚后激光束（4）投射到被加工晶圆（1）上，其特征在于，在晶圆（1）上以倾斜离子注入角度（10）离子注入工艺制备器件（3），激光束（4）与晶圆（1）的法线方向（5）之间呈现一个夹角（6），该夹角（6）的角度与倾斜离子注入角度（10）相同，在实施激光退火时，激光束（4）沿着倾斜离子注入角度（10）,通过覆盖在器件（3）表面的硬掩膜（11）的窗口（12），使得光子通过这个窗口作用到晶圆（1）中，进行退火处理，形成退火作用区（13）；退火过程中，硬掩膜（11）用来阻止离子注入，将激光束屏蔽或反射，使器件（3）被硬掩膜（11）屏蔽的部分不受影响；所述器件（3）是指为了针对器件具体特性的杂质分布，以一定倾斜角度实施离子注入所形成的器件结构。

2.根据权利要求1所述用于复杂结构半导体器件的激光退火方法，其特征在于，所述倾斜离子注入角度（10）是离子注入的方向与晶圆表面法线方向（5）所形成的夹角，在对这类晶圆退火时，激光束（4）的倾斜角度（6）与倾斜离子注入角度（10）相同。

3.根据权利要求1所述用于复杂结构半导体器件的激光退火方法，其特征在于，所述退火作用区（13）是指激光束通过注入窗口（12）对晶圆进行退火处理，注入窗口（12）下面存在受到激光束（4）照射的明亮区（15），即发生激光照射及退火现象的区域和在晶圆表面上会存在一个未被照射到的阴影区（16）。

4.根据权利要求1所述用于复杂结构半导体器件的激光退火方法，其特征在于，器件的上表面可以额外设置硬掩膜遮挡，利用这一遮挡，实施选择性激光退火，或者在第一次退火后将晶圆旋转180o，再进行第二次退火，在这样的两次退火过程中，利用器件结构上表面处的硬掩膜，起到控制上表面激光作用量的效果。