[发明专利]移位寄存器、栅极驱动电路、阵列基板以及显示装置有效
申请号: | 201310071435.0 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103198866A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G09G3/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 栅极 驱动 电路 阵列 以及 显示装置 | ||
1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:
移位寄存器输入端,包括起始信号输入端、第一时钟信号输入端以及第二时钟信号输入端;
预充电电路,响应于起始信号以及第一时钟信号,输出第一导通电平以及第二导通电平;
第一拉高电路,所述第一导通电平接入后,响应于所述起始信号以及所述第一时钟信号的致能电平,输出高电平;
拉低电路,所述第二导通电平接入后,响应于所述起始信号、所述第一时钟信号的非致能电平以及第二时钟信号的致能电平,输出低电平;
第二拉高电路,所述第二导通电平截止后,输出高电平;
移位寄存器输出端,连接于所述第一电平拉高电路、所述拉低电路以及所述第二电平拉高电路的输出端,输出电平信号。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第二拉高电路包括:反向电路以及拉高子电路,其中,
反向电路,所述第二导通电平接入后,输出高电平,所述第二导通电平截止后,输出低电平;
拉高子电路,响应于所述反向电路输出的低电平,输出高电平。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述预充电电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一节点、第二节点以及第一电容,其中,
第一薄膜晶体管,其栅极连接于第一时钟信号输入端,源极连接于起始信号输入端,漏极连接于所述第二节点;
第二薄膜晶体管,其栅极连接于所述第二节点,源极连接于起始信号输入端,漏极连接于所述第一节点;
第一节点,用于输出所述预充电电路的第一导通电平;
第二节点,用于输出所述预充电电路的第二导通电平;
第一电容,其一端连接于所述第二节点,另一端连接于所述移位寄存器输出端。
4.根据权利要求3所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一拉高电路包括:第三薄膜晶体管,其栅极连接于所述第一节点,源极连接于高电平,漏极连接于所述移位寄存器输出端。
5.根据权利要求4所述的移位寄存器,其特征在于,所述拉低电路包括:第四薄膜晶体管,其栅极连接于所述第二节点,源极连接于第二时钟信号输入端,漏极连接于所述移位寄存器输出端。
6.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,所述反向电路包括:第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管以及第三节点,其中,
第五薄膜晶体管,其栅极连接于第二节点,源极连接于高电平,漏极连接于所述第三节点;
第六薄膜晶体管,其栅极连接于所述第七薄膜晶体管的源极,源极连接于低电平,漏极连接于所述第三节点;
第七薄膜晶体管,其栅极连接于低电平,源极连接于所述第六薄膜晶体管的栅极,漏极连接于低电平;
第三节点,为所述反向电路的输出端。
7.根据权利要求6所述的移位寄存器,其特征在于,所述拉高子电路包括:第八薄膜晶体管,其栅极连接于第三节点,源极连接于高电压,漏极连接于所述移位寄存器输出端。
8.一种栅极驱动电路,其特征在于,包括如权利要求1至7中任意一项所述的移位寄存器。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求8所述的栅极驱动电路。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板。
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