[发明专利]移位寄存器、栅极驱动电路、阵列基板以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201310071435.0 申请日: 2013-03-06
公开(公告)号: CN103198866A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 马占洁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G09G3/20
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 栅极 驱动 电路 阵列 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:

移位寄存器输入端,包括起始信号输入端、第一时钟信号输入端以及第二时钟信号输入端;

预充电电路,响应于起始信号以及第一时钟信号,输出第一导通电平以及第二导通电平;

第一拉高电路,所述第一导通电平接入后,响应于所述起始信号以及所述第一时钟信号的致能电平,输出高电平;

拉低电路,所述第二导通电平接入后,响应于所述起始信号、所述第一时钟信号的非致能电平以及第二时钟信号的致能电平,输出低电平;

第二拉高电路,所述第二导通电平截止后,输出高电平;

移位寄存器输出端,连接于所述第一电平拉高电路、所述拉低电路以及所述第二电平拉高电路的输出端,输出电平信号。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第二拉高电路包括:反向电路以及拉高子电路,其中,

反向电路,所述第二导通电平接入后,输出高电平,所述第二导通电平截止后,输出低电平;

拉高子电路,响应于所述反向电路输出的低电平,输出高电平。

3.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述预充电电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一节点、第二节点以及第一电容,其中,

第一薄膜晶体管,其栅极连接于第一时钟信号输入端,源极连接于起始信号输入端,漏极连接于所述第二节点;

第二薄膜晶体管,其栅极连接于所述第二节点,源极连接于起始信号输入端,漏极连接于所述第一节点;

第一节点,用于输出所述预充电电路的第一导通电平;

第二节点,用于输出所述预充电电路的第二导通电平;

第一电容,其一端连接于所述第二节点,另一端连接于所述移位寄存器输出端。

4.根据权利要求3所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一拉高电路包括:第三薄膜晶体管,其栅极连接于所述第一节点,源极连接于高电平,漏极连接于所述移位寄存器输出端。

5.根据权利要求4所述的移位寄存器,其特征在于,所述拉低电路包括:第四薄膜晶体管,其栅极连接于所述第二节点,源极连接于第二时钟信号输入端,漏极连接于所述移位寄存器输出端。

6.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,所述反向电路包括:第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管以及第三节点,其中,

第五薄膜晶体管,其栅极连接于第二节点,源极连接于高电平,漏极连接于所述第三节点;

第六薄膜晶体管,其栅极连接于所述第七薄膜晶体管的源极,源极连接于低电平,漏极连接于所述第三节点;

第七薄膜晶体管,其栅极连接于低电平,源极连接于所述第六薄膜晶体管的栅极,漏极连接于低电平;

第三节点,为所述反向电路的输出端。

7.根据权利要求6所述的移位寄存器,其特征在于,所述拉高子电路包括:第八薄膜晶体管,其栅极连接于第三节点,源极连接于高电压,漏极连接于所述移位寄存器输出端。

8.一种栅极驱动电路,其特征在于,包括如权利要求1至7中任意一项所述的移位寄存器。

9.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求8所述的栅极驱动电路。

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板。

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