[发明专利]写入驱动器电路、使用其的半导体装置以及存储系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年8月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0087599的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明总体而言涉及一种半导体装置，更具体而言，涉及一种半导体装置的写入驱动器电路和一种存储系统。

背景技术

一般而言，DRAM包括由电容器构成的存储器单元阵列，并且通过对电容器充电或放电来储存数据。DRAM被广泛使用的一部分原因是因为其的高速率操作。然而，因为储存数据是通过对电容器充电或放电来实现的，所以DRAM具有易失性存储器特性。已经不断地开发了在保持快速操作速率的同时具有非易失性存储器特性的下一代存储装置。下一代存储装置的代表性实例可以包括阻变存储装置，所述阻变存储装置包括由根据温度、电流或电压而具有可变电阻值的阻变材料形成的存储器单元阵列。由于阻变存储装置具有非易失性存储器特性并且以高速操作，所以阻变存储装置已经被认为是用以解决DRAM缺点的替代性存储器件。

图1示意性地说明现有的阻变存储装置10的配置。阻变存储装置10包括存储体BANK、行地址译码器14以及列地址译码器13。存储体BANK包括多个字线WL0至WLk和多个位线BL0至BLl。各个位线BL0至BLl耦接以从写入驱动器12接收写入电流，写入驱动器12被配置成从写入控制单元11接收用于储存数据的写入控制电流WCC。

参见图1，存储体BANK包括大量的位线BL0至BLl以及字线WL0至WLk。随着存储体的容量增加并且存储器工艺变得更加集成，位线之间的干扰或者位线与字线之间的干扰显著地增加。因此，即使向两个不同的存储器单元写入相同的数据，但是不同的数据可能被写入靠近写入驱动器12的存储器单元B和较远离写入驱动器12的存储器单元A。具体地，当写入电流传送到较远离写入驱动器12的存储器单元A时，写入电流可能显著地改变。

当写入电流以变化的方式传送时，可能不能将准确的数据写入存储器单元。写入电流的变化可能在使用多电平单元方案的存储器件中产生复杂的问题。

发明内容

本文描述了一种写入驱动器和使用所述写入驱动器的半导体装置，无论存储器单元的位置如何所述写入驱动器都能够传送具有大体相似幅值的写入电流。

在本发明的一个实施例中，一种写入驱动器电路包括：写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；以及写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流和地址信号而产生用于将数据写入存储器单元中的写入电流，其中，所述写入驱动器根据写入控制电流和地址信号来改变写入电流的幅值。

在本发明的另一个实施例中，一种写入驱动器电路包括：写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；主写入驱动器，所述主写入驱动器被配置成响应于写入控制电流而产生用于将数据写入存储器单元中的写入电流；以及子写入驱动器，所述子写入驱动器被配置成响应于写入控制电流和地址信号而产生写入电流。

在本发明的另一个实施例中，一种半导体装置包括：写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流而产生写入电流，所述写入电流具有与到要储存数据的存储器单元的距离成比例改变的幅值；行开关，所述行开关与字线连接，以响应于行地址信号来选择要储存数据的存储器单元，以及列开关，所述列开关被配置成响应于列地址信号而选择与要储存数据的存储器单元连接的位线。

在本发明的另一个实施例中，一种存储系统包括：存储器主机；写入控制单元，所述写入控制单元被配置成从存储器主机接收命令信号和数据，并且产生写入控制电流；写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流而产生写入电流，所述写入电流具有与到要储存数据的存储器单元的距离成比例改变的幅值；行开关，所述行开关与字线连接，以响应于行地址信号来选择要储存数据的存储器单元；以及列开关，所述列开关被配置成响应于列地址信号而选择与要储存数据的存储器单元连接的位线。

附图说明

结合附图来描述本发明的特点、方面和实施例，其中：

图1示意性地说明现有阻变存储装置的配置；

图2示意性地说明根据本发明的一个实施例的写入驱动器电路的配置；

图3说明根据本发明的一个实施例的包括图2的写入驱动器的半导体装置的配置；

图4说明图2的写入控制单元的配置；以及