[发明专利]写入驱动器电路、使用其的半导体装置以及存储系统无效

专利信息
申请号: 201310069109.6 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103578527A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 林相局;严浩锡 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C11/409
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 写入 驱动器 电路 使用 半导体 装置 以及 存储系统
【权利要求书】:

1.一种写入驱动器电路,包括:

写入控制单元,所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流;以及

写入驱动器,所述写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流和地址信号而产生用于将所述数据写入存储器单元中的写入电流,

其中,所述写入驱动器根据所述写入控制电流和所述地址信号来改变所述写入电流的幅值。

2.如权利要求1所述的写入驱动器电路,其中,所述地址信号包括行地址信号和列地址信号,以及

所述写入驱动器响应于所述行地址信号和所述列地址信号而随着所述写入驱动器和要储存所述数据的存储器单元之间的距离的增加来成比例地增加所述写入电流。

3.一种写入驱动器电路,包括:

写入控制单元,所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流;

主写入驱动器,所述主写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生用于将所述数据写入存储器单元中的写入电流;以及

子写入驱动器,所述子写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流和地址信号而产生所述写入电流。

4.如权利要求3所述的写入驱动器电路,其中,所述主写入驱动器响应于所述写入控制电流而改变所述写入电流的幅值。

5.如权利要求3所述的写入驱动器电路,其中,所述子写入驱动器响应于所述写入控制电流和所述地址信号而改变所述写入电流的幅值。

6.如权利要求3所述的写入驱动器电路,其中,所述地址信号包括行地址信号和列地址信号,以及

所述子写入驱动器包括:

列子驱动器,所述列子驱动器被配置成响应于所述列地址信号而改变所述写入电流的幅值;以及

行子驱动器,所述行子驱动器被配置成响应于所述行地址信号而改变所述写入电流的幅值。

7.如权利要求6所述的写入驱动器电路,其中,所述列子驱动器包括:

第一驱动器,所述第一驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生第一子写入电流;

列位置控制部,所述列位置控制部被配置成检测所述列地址信号,并且产生第一控制信号;以及

第一开关,所述第一开关被配置成响应于所述第一控制信号而将所述第一子写入电流提供给施加所述写入电流的节点。

8.如权利要求7所述的写入驱动器电路,其中,所述列位置控制部响应于所述列地址信号而产生所述第一控制信号。

9.如权利要求7所述的写入驱动器电路,其中,所述行子驱动器包括:

第二驱动器,所述第二驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生第二子写入电流;

行位置控制部,所述行位置控制部被配置成检测所述行地址信号,并且产生第二控制信号;以及

第二开关,所述第二开关被配置成响应于所述第二控制信号而将所述第二子写入电流提供给施加所述写入电流的节点。

10.如权利要求9所述的写入驱动器电路,其中,所述行位置控制部接收所述行地址信号、检测所述行地址信号的最高有效位MSB、以及产生所述第二控制信号。

11.一种半导体装置,包括:

写入控制单元,所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据而产生写入控制电流;

写入驱动器,所述写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生写入电流,所述写入电流具有与所述写入驱动器和要储存所述数据的存储器单元之间的距离成比例改变的幅值;

行开关,所述行开关与字线连接,以响应于行地址信号而选择要储存所述数据的存储器单元;以及

列开关,所述列开关被配置成响应于列地址信号而选择与要储存所述数据的存储器单元连接的位线。

12.如权利要求11所述的半导体装置,其中,所述写入驱动器包括:

主写入驱动器,所述主写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生所述写入电流;以及

子写入驱动器,所述子写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流、所述行地址信号以及所述列地址信号而产生所述写入电流。

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