[发明专利]一种氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜的制造方法无效
申请号: | 201310066810.2 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN103160785A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 钱时昌 | 申请(专利权)人: | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C30B23/08;C30B29/16 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 蒋家华 |
地址: | 213300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮镁共 掺杂 氧化锌 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜的制造方法,该制造方法依次包括如下步骤:
第一步,选取蓝宝石作为衬底1,将该衬底1放置到具有无水乙醇的超声波振荡器中进行清洗,以去除衬底1表面的油脂,然后再将其放置到具有去离子水的超声波振荡器中进行清洗,以去除残余的无水乙醇;
第二步,将纯度为99.99%的氧化锌粉末、镁的摩尔含量为5-11%的氧化镁粉末进行混合,然后压制形成靶材;
第三步,将完成第一步工艺的衬底1放入磁控溅射反应室中,向该磁控溅射反应室通入氮的摩尔含量为0.8-1.7%的NO、NO2混合气体后施加射频功率,该射频功率使得NO和NO2气体活化,并将靶材溅射沉积在衬底之上,从而在衬底1上形成厚度为300-400nm的氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜2;
第四步,对完成第三步的衬底1进行热退火,退火气氛为氧气,退火温度为700℃,退火时间为40分钟。
2.如权利要求1所述的氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的制造方法,其特征在于:p型氧化锌薄膜在常温下,其压电常数d33大于16pC/N,其电阻率大于1.2×1010Ω·cm。
3.如权利要求1所述的氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的制造方法
所述氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜在蓝宝石衬底上通过射频磁控溅射方法来形成,其厚度约为300-400nm,优选360nm。
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