[发明专利]一种镀钯键合铜丝的制造方法无效
| 申请号： | 201310065255.1 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103219245A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 吕燕翔;居勤坤;史仁龙;万传友;彭芳美;周国忠 | 申请（专利权）人： | 溧阳市虹翔机械制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B21C1/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 朱戈胜 |
| 地址： | 213351 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镀钯键合 铜丝 制造 方法 | ||
1.一种镀钯键合铜丝的制造方法，按先后次序依次包括以下步骤：
（1）提取高纯铜：以国家标准1号纯铜为原料，提取纯度大于99.9995％的高纯铜；将高纯铜连铸得到直径大约为8mm的高纯铜棒，该高纯铜棒的纵向和横向晶粒数均为1个；
（2）将直径大约为8mm的高纯铜棒进行粗拔以制得直径大约为3-4mm的铜丝后，对所述铜丝进行退火，退火温度大约为450-500摄氏度，退火时间大约为20-60分钟，退火后进行水冷；
（3）电镀前的称重准备：按照重量百分比计，选取92.6~96.8wt%的铜作为铜芯，将2.7~8.9wt%的纯钯分成两份，其中第一份为1.8~5.6wt%，第二份为1.4-2.8wt%，其中，纯钯的纯度为大于99.99%；
（4）第一次电镀纯钯保护层：将退火后的按重量百分比计92.6~96.8wt%的铜作为铜芯，在所述铜芯的表面上电镀1.8~5.6wt%的纯钯；
（5）第一次精拔：将完成步骤（4）的电镀有纯钯保护层的铜丝，精拔成直径大约为1-1.5mm的镀钯键合铜丝；
（6）第一次热退火：对完成步骤（5）的镀钯键合铜丝进行热退火，其中热退火温度大约为450-500摄氏度，时间大约为20-60分钟；
（7）第二次电镀纯钯保护层：在完成步骤（6）的键合铜丝的表面上电镀1.4-2.8wt%的纯钯；
（8）第二次精拔：将完成步骤（7）的镀钯键合铜丝精拔成直径大约为15-25微米的镀钯键合铜丝；
（9）第二次热退火：对完成步骤（8）的镀钯键合铜丝进行热退火，其中热退火温度大约为450-500摄氏度，时间大约为20-60分钟；
（10）清洗：对完成步骤（9）的镀钯键合铜丝进行表面清洗，采用酸性溶液先对其进行一次清洗，然后采用去离子水进行二次清洗；
（11）将清洗干净的镀钯键合铜丝烘干。
2.如权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制造方法，其特征在于：
所述步骤（5）中，镀钯键合铜丝被精拔成直径大约为1mm。
3.如权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制造方法，其特征在于：
所述第一次热退火和所述第二次热退火的热退火温度大约为480摄氏度，时间大约为30分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
