[发明专利]一种利用大弹性应变提高磁记录薄膜的剩磁比的方法有效
| 申请号： | 201310064362.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103147054A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 冯春;李许静;于广华;李明华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 弹性 应变 提高 记录 薄膜 剩磁 方法 | ||
1.一种利用大弹性应变提高磁记录薄膜的剩磁比的方法，其特征为：在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子，沉积完毕后，加热基底至适当的温度，保持适当的时间后，产生大弹性应变，最后，冷却至室温即可。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该方法的具体过程为：利用磁控溅射方法，在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子, 所述的记忆合金基底的预拉伸应变量或产生的弹性应变压缩量为1.5%~6%，溅射室的本底真空度为优于5×10-5 Pa，溅射时，氩气压为0.4～1.2 Pa，沉积得到的FePt原子层的厚度为50～200 ?，Ta原子层的厚度为50～200 ?，沉积完毕后，加热基片至温度为80～200 ℃，时间为5～15分钟，待记忆合金基底产生弹性压缩应变后，冷却到室温后即可。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，该方法的具体过程为：首先利用磁控溅射方法，在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt和Ta原子, 所述的记忆合金基底的预拉伸应变量为3%，溅射沉积前的本底真空度为2×10-5 Pa，溅射时氩气压为0.8 Pa，所述氩气的纯度为99.99%以上，沉积得到的FePt原子层的厚度为100 ?，Ta原子层的厚度为100 ?，沉积完毕后，加热基片至100℃，保持10分钟，以产生3%的弹性压缩应变，最后，冷却至室温后取出即可。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310064362.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SC型光纤快速连接器
- 下一篇：一种薄膜双向拉伸机万向锁紧夹头装置
- 同类专利
- 专利分类
