[发明专利]涂布装置及其涂布方法

权利要求书

1.一种涂布装置，其特征在于，所述涂布装置包括：

横臂，所述横臂用于所述涂布装置的支撑；

光刻胶喷吐装置，所述光刻胶喷吐装置具有活动设置在所述横臂上的活动支架，以及设置在所述活动支架之邻近所述待涂布半导体晶圆一侧并用于所述光刻胶喷吐的第一喷嘴；以及，

气体喷吹装置，所述气体喷吹装置进一步包括设置在所述待涂布半导体晶圆一侧的第二喷嘴，并活动设置在所述横臂上。

2.如权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述气体喷吹装置的第二喷嘴与所述光刻胶喷吐装置之间的距离根据所述光刻胶的不同黏度、半导体晶圆的表面覆盖程度，以及膜厚均匀度进行设置。

3.如权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述气体喷吹装置的第二喷嘴呈扁平状，且所述第二喷嘴的长边与所述横臂的移动方向垂直。

4.如权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述气体喷吹装置所用气体为N2、洁净空气、惰性气体的至少其中之一。

5.如权利要求1所述的涂布装置的涂布方法，其特征在于，所述涂布方法包括以下步骤：

执行步骤S1：提供待涂布光刻胶的半导体晶圆，并固定设置在旋转台上；

执行步骤S2：移动所述光刻胶喷吐装置，并将所述光刻胶喷吐装置设置在所述待涂布半导体晶圆的中央位置处；

执行步骤S3：所述光刻胶喷吐装置在所述待涂布半导体晶圆的中央位置处喷吐光刻胶；

执行步骤S4：旋转所述半导体晶圆，并通过所述气体喷吹装置喷吹气流，在离心力和气流推力的作用下，所述光刻胶沿着所述半导体晶圆的表面铺展以形成所述光刻胶层。

6.如权利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述流经第二喷嘴的气体压力根据所述光刻胶的不同黏度、半导体晶圆的表面覆盖程度，以及膜厚均匀度进行设置。

7.如权利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述气体喷吹装置的第二喷嘴与所述待喷涂半导体晶圆之间的角度范围为0～90°。

8.如权利要求7所述的涂布方法，其特征在于，所述角度的调节根据所述光刻胶的不同黏度、半导体晶圆的表面覆盖程度，以及膜厚均匀度进行设置。

9.如权利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述涂布方法适于光刻工艺中所使用的G线（G-line）、I线（I-line）、KrF、ArF光刻胶、抗反材料，以及填充材料中的其中之一。

10.如权利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述涂布方法适于5英寸、6英寸、8英寸、12英寸的硅片制造设备。