[发明专利]激光晶化装置及用其制造薄膜晶体管阵列面板的方法有效
申请号: | 201310059430.6 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103377891A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 秋秉权;朴喆镐;李权炯;表圣哲 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于未茗;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 化装 制造 薄膜晶体管 阵列 面板 方法 | ||
1.一种激光晶化装置,包括:
产生激光束的激光发生器,所述激光束指向处理目标基板;和
位于所述处理目标基板上方的刀片构件,所述刀片构件被配置为在两个方向上以预定宽度切断所述激光束,
其中所述激光束的被所述刀片构件切断的两个末端作为衍射光照射到所述处理目标基板。
2.根据权利要求1所述的激光晶化装置,其中:
所述刀片构件具有其中多个刀片重叠的多层结构。
3.根据权利要求2所述的激光晶化装置,其中:
所述刀片构件的多个刀片当中的比较靠近所述处理目标基板的刀片朝所述激光束的中心方向相对突出。
4.根据权利要求3所述的激光晶化装置,其中:
所述刀片构件被配置为使得随着所述刀片构件中的多个刀片的数量增加,所述衍射光照射到所述处理目标基板的区域相对缩小。
5.根据权利要求1所述的激光晶化装置,其中:
照射到所述处理目标基板的所述激光束是在长度方向上具有两个末端的激光狭缝射线。
6.根据权利要求5所述的激光晶化装置,其中:
所述刀片构件切断所述激光狭缝射线的两个末端。
7.根据权利要求5所述的激光晶化装置,其中:
所述激光狭缝射线是准分子激光狭缝射线。
8.根据权利要求5所述的激光晶化装置,进一步包括:
位于所述激光发生器和所述刀片构件之间的至少一个光学构件。
9.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,该方法包括:
提供其上沉积有非晶硅薄膜的处理目标基板;
使激光狭缝射线在与所述激光狭缝射线的长度方向相交的方向上扫描所述处理目标基板若干次,以照射且晶化所述非晶硅薄膜,其中所述激光狭缝射线的扫描被执行为使所述激光狭缝射线的在长度方向上的边缘彼此部分重叠,使所述处理目标基板的、与所述激光狭缝射线的长度方向的边缘相对应的部分被照射两次,而使所述处理目标基板的剩余部分被照射一次;以及
利用通过所述激光狭缝射线的一次照射而晶化的硅薄膜作为有源层来形成薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的方法,其中:
通过利用包括激光发生器的激光晶化装置形成所述激光狭缝射线,以及
在所述处理目标基板的上方布置刀片构件,所述刀片构件切断照射所述处理目标基板的所述激光狭缝射线的长度方向上的两个末端。
11.根据权利要求10所述的方法,其中:
所述激光狭缝射线的被所述刀片构件切断的两个末端作为衍射光照射到所述处理目标基板。
12.根据权利要求11所述的方法,其中:
通过使所述激光狭缝射线的长度方向的边缘部分重叠而照射所述激光狭缝射线两次所晶化的所述硅薄膜是通过所述衍射光被晶化的。
13.根据权利要求9所述的方法,其中:
所述激光狭缝射线是准分子激光狭缝射线。
14.根据权利要求10所述的方法,其中:
所述刀片构件具有其中多个刀片重叠的多层结构。
15.根据权利要求14所述的方法,其中:
所述刀片构件的多个刀片当中的比较靠近所述处理目标基板的刀片朝所述激光的中心方向相对突出。
16.根据权利要求15所述的方法,进一步包括通过增加包括在所述刀片构件中的多个刀片的数量来相对缩小所述衍射光照射到所述处理目标基板的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造