[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统

权利要求书

1. 一种用来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性的方法，所述方法包括步骤：

从外部激发所述间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光；

捕获响应于所述外部激发从所述间接带隙半导体器件发出的光的图像；以及

根据对两个或更多个所述发光图像中的区域的相对强度的比较来确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性，其中所述发光图像中的至少一个是光致发光图像。

2. 根据权利要求1的方法，其中确定空间分辨特性的所述步骤包括空间分辨所述间接带隙半导体器件中的电隔离或不良连接区域的步骤。

3. 根据权利要求1的方法，其中确定空间分辨特性的所述步骤包括比较一个所述发光图像中的不同区域之间的强度比与至少一个另外的所述发光图像中的相应区域之间的强度比的步骤。

4. 根据权利要求1的方法，其中确定空间分辨特性的所述步骤包括比较至少两个发光图像中的区域的相对强度的步骤，所述发光图像从发光图像组中选择，所示发光图像组包括：

通过利用电信号激发所述间接带隙半导体器件所产生的电致发光图像；

当所述间接带隙半导体器件的接触端保持开路状态时通过利用适于引起光致发光的入射光激发所述间接带隙半导体器件所产生的光致发光图像；以及

通过利用适于引起光致发光的入射光激发所述间接带隙半导体器件并且同时相对于开路值改变跨越所述间接带隙半导体器件的接触端的电压电平所产生的光致发光图像。

5. 根据权利要求2的方法，其中在外部激发所述间接带隙半导体器件的步骤包括下列步骤组中的至少一个，所述步骤组包括：

利用适于在所述间接带隙半导体器件中引起光致发光的光照射所述间接带隙半导体器件；以及

施加电信号到所述间接带隙半导体器件的接触端以在所述间接带隙半导体器件中引起电致发光。

6. 根据权利要求5的方法，其中确定空间分辨特性的所述步骤包括比较光致发光图像和电致发光图像中的区域的相对强度的步骤。

7. 根据权利要求6的方法，其中在没有相对于所述光致发光图像中的其它区域改变了强度的相应区域的情况下所述电隔离或不良连接区域与相对于所述电致发光图像中的其它区域有较低强度的区域对应。

8. 根据权利要求2的方法，其中：

在外部激发所述间接带隙半导体器件的所述步骤包括利用适于在所述间接带隙半导体器件中引起光致发光的光照射所述间接带隙半导体器件的步骤，并且

所述方法包括同时相对于开路值改变跨越所述间接带隙半导体器件的接触端的电压的另一个步骤。

9. 根据权利要求8的方法，其中确定空间分辨特性的所述步骤包括比较在没有相对于开路值改变跨越所述间接带隙半导体器件的接触端的电压的情况下的至少一个光致发光图像和在相对于开路值改变跨越所述间接带隙半导体器件的接触端的电压的情况下的至少一个光致发光图像中的对应区域的强度的步骤。

10. 根据权利要求8或权利要求9的方法，其中同时相对于开路值改变跨越所述间接带隙半导体器件的接触端的电压的所述步骤包括从以下步骤组选择的步骤，所述步骤组包括：

跨越所述间接带隙半导体器件的接触端施加外部偏置；

跨越所述间接带隙半导体器件的接触端施加负载；

在所述间接带隙半导体器件的接触端两端应用短路；

跨越所述间接带隙半导体器件的接触端施加电压；

将电流注入到所述间接带隙半导体器件的接触端中；以及

从所述间接带隙半导体器件的接触端抽取电流。

11. 根据权利要求8或权利要求9的方法，其中同时相对于开路值改变跨越所述间接带隙半导体器件的接触端的电压的所述步骤包括相对于开路值减小所述接触端两端的所述电压的步骤。

12. 根据权利要求11的方法，其中在没有相对于在所述接触端两端具有开路电压值的所述光致发光图像中的其它区域改变了强度的相应区域的情况下，所述电隔离或不良连接区域与相对于在所述接触端两端具有降低的电压的所述光致发光图像中的其它区域有较高强度的区域对应。