[发明专利]氧化铟锡层的形成

说明书

本申请是申请号为200910160328.9、申请日为2009年8月7日、发明名称为“氧化铟锡层的形成”的申请的分案申请。

技术领域

本申请一般地涉及氧化铟锡（ITO）层的形成，尤其涉及通过将ITO加热至较高温度而在基片之上形成结晶ITO层的同时限制基片的温度增加。

背景技术

现今，有许多类型的输入设备可用于执行计算系统内的操作，这些输入设备包括诸如按钮或键、鼠标、跟踪球、游戏杆、触摸传感器面板、触摸屏等等。特别地，触摸屏因其易于使用、适于多用途操作且价格逐渐降低而变得越来越流行。触摸屏可以包括触摸传感器面板和显示设备，其中触摸传感器面板可以是带有触摸敏感表面的透明面板，而诸如液晶显示器（LCD）的显示设备可以部分地或完全地放置在面板之后以使得触摸敏感表面能够覆盖该显示设备的至少一部分可视区。触摸屏可以允许用户通过用手指、输入笔或者其他物体在由显示设备显示的用户界面（UI）所指示的位置上对触摸传感器面板进行触摸来执行各种功能。一般而言，触摸屏可以识别触摸事件以及该触摸事件在触摸传感器面板上的位置，于是计算系统可以根据触摸事件时刻出现的显示来解释该触摸事件，随后就能基于该触摸事件执行一个或多个动作。

互电容触摸传感器面板可由基本透明的导电材料（诸如ITO）的驱动线路和感测线路的阵列形成，其中所述驱动线路和感测线路的阵列通常以行和列的方式沿着水平和垂直方向沉积在基本透明的基片上。沉积高质量、结晶ITO的常规工艺需要将基片暴露在高达350摄氏度的持续温度下。然而，这类高温工艺无法适用于某些应用。

发明内容

一个示例涉及通过加热ITO到较高温度而在基片之上形成结晶ITO层的同时限制基片的温度增加小于预定温度。例如，可以在基片之上沉积包括非晶ITO的层，并且可以使用表面退火工艺使得ITO经历从非晶ITO到结晶ITO的相变。在表面退火工艺中，能量的施加是以大部分的能量由包括非晶ITO的层而非基片吸收的方式进行的。例如，非晶ITO层可以暴露于激光、紫外（UV）辐射、微波辐射、或者其他电磁（EM）辐射下。可以选择辐射的波长，使得非晶ITO层吸收大部分的辐射能量。以此方式，因为大部分的能量被ITO层吸收，使得例如非晶ITO层可以被充分加热以经历到结晶ITO的相变，而同时基片的温度增加则可被限制为小于预定温度。在另一示例中，可以通过向ITO层施加电流而使得能量吸收集中在ITO层。ITO层的电阻使得电流的一部分能量以热量形式被ITO层吸收。让电流集中流过ITO层能够使得大部分的能量由非晶ITO层吸收，由此就能将ITO加热到较高温度并引起到结晶ITO的相变，同时限制基片的温度增加。

在另一示例中，可以使用诸如物理气相沉积（PVD）之类的沉积工艺在裸基片（即，没有包括非晶ITO的层）上沉积结晶ITO，上述工艺在将ITO加热到较高温度（例如，200-350摄氏度或更高）的同时限制基片的温度增加小于预定温度。例如，可以让基片在其温度增加超过预定的阈值温度之前快速通过高温ITO沉积室，以沉积一层较薄的结晶ITO。可以让基片多次通过沉积室，直至ITO层达到期望厚度。在每次通过之间，能让基片充分冷却以便在下一次通过的过程中保持基片温度低于预定的阈值温度。

附图说明

图1例示了可根据本发明实施例在其上形成一层或多层结晶ITO层的示例性LCD模块。

图2例示了一种根据本发明的实施例使用表面退火工艺在诸如CF玻璃的基片之上形成结晶ITO层同时限制基片的温度增加的示例性方法。

图3例示了根据本发明实施例的另一种形成结晶ITO层的示例性方法。

图4例示了根据本发明实施例的另一种形成结晶ITO层的示例性方法。

图5例示了另一种根据本发明实施例的使用快速沉积工艺形成结晶ITO层的示例性方法。

图6例示了一种根据本发明实施例的用于校准/测试结晶ITO层形成工艺的示例性方法。

图7A-C例示了一种可以根据本发明实施例形成的示例性SITO配置。

图8A-B示出了图7A-C中示例性SITO配置的更多细节。

图9例示了图7A-C和图8A-B中示例性SITO配置的进一步细节。

图10A-B例示了具有根据本发明实施例形成的SITO配置的触摸传感器面板的示例性电容测量。

图10C例示了另一个示例性SITO配置。

图11例示了一种包括根据本发明实施例形成的SITO的示例性SITO叠层。