[发明专利]氧化铟锡层的形成

权利要求书

1.一种用于在基片之上形成结晶氧化铟锡（ITO）层的系统，所述系统包括：

加热装置，用于将ITO加热至较高温度以形成结晶ITO层；以及

限温装置，用于在结晶ITO层的形成过程中限制基片的温度增加。

2.如权利要求1所述的系统，还包括：

沉积装置，用于在基片之上沉积包括非晶ITO的层，其中所述加热装置通过施加电磁（EM）辐射来加热所述包括非晶ITO的层。

3.如权利要求2所述的系统，还包括：

层形成装置，用于在包括非晶ITO的层和基片之间形成中间层，其中所述中间层在EM辐射的波长上反射所述EM辐射。

4.如权利要求2所述的系统，还包括：

层形成装置，用于在包括非晶ITO的层和基片之间形成中间层，其中所述中间层在EM辐射的波长上吸收所述EM辐射。

5.如权利要求1所述的系统，还包括：

沉积装置，用于在基片之上沉积包括非晶ITO的层，其中所述加热装置通过向所述包括非晶ITO的层施加电流来加热所述包括非晶ITO的层。

6.如权利要求5所述的系统，还包括：

电阻测量装置，用于测量非晶ITO层的电阻并且用于在测得的电阻达到预定阈值时停止施加所述电流。

7.如权利要求5所述的系统，其中所述沉积装置包括低温溅射装置。

8.如权利要求1所述的系统，其中所述加热装置包括含有高温沉积室的高温沉积室系统，并且所述限温装置包括控制器，所述控制器控制高温沉积室系统在沉积一部分结晶ITO层的过程中将基片放置在高温沉积室内持续第一时间段，在基片温度降低的过程中将基片从高温沉积室中移出达第二时间段，并且重复上述放置和移出步骤直至结晶ITO层形成。

9.如权利要求8所述的系统，其中所述高温沉积室是物理气相沉积室。

10.由权利要求1所述的系统形成的结晶ITO层，所述结晶ITO层在触摸传感器面板内形成。