[发明专利]太阳能模块有效
| 申请号: | 201310052722.7 | 申请日: | 2013-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN103165693A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
| 发明(设计)人: | 胡雁程 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郝新慧;张浴月 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能 模块 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能模块。
背景技术
近来,随着化石燃料日渐枯竭,因此全球正朝向可再生能源的方向发展,以满足全球能源上的需要。在各种可再生能源中,太阳能是极具发展潜力的一种。
太阳能电池是一种藉由光伏效应(Photovataic Effect)将太阳能转换成电能的装置。一般而言,太阳能电池的种类有晶体硅太阳能电池(Crystal Silicon Solar Cell)、薄膜太阳能电池(Thin Film Solar Cell)、染料敏化太阳能电池(Dye-Sensitized Solar Cell;DSSC)、串叠型电池(Tandem Cell)等,其中晶体硅太阳能电池是目前最为广泛使用的一种。
在一般晶体硅太阳能电池中,制造者大多是将银胶印刷在光电转换元件的入光面上,作为入光面电极。然而,银胶本身的材料十分昂贵,特别是在制作总线电极(Bus Electrode)时,由于总线电极一般是带状电极,因此银胶的使用量更是惊人。在这个情况下,晶体硅太阳能电池的制造成本当然高居不下,使得晶体硅太阳能电池的推广及应用受到极大的阻碍。
发明内容
本发明的一态样是在提供一种太阳能模块,用以解决以上先前技术所提到的困难。
根据本发明一实施方式,一种太阳能模块包含至少两太阳能电池与一导电带。每一太阳能电池包含光电转换元件、入光面电极与背光面电极。光电转换元件具有彼此相对的入光面与背光面。入光面电极设置于光电转换元件的入光面上,此入光面电极包含至少一总线电极(Bus Electrode)与多个分支电极(Finger Electrode)。总线电极包含至少两个线电极,这些线电极位于入光面上。分支电极位于入光面上,且与总线电极以不同方向延伸。这些分支电极与线电极交错且电性连接,且每一分支电极均至少部分位于总线电极所在的区域外,其中在总线电极所在的区域内任两相邻的线电极与任两相邻的分支电极共同定义无电极空间。背光面电极设置于光电转换元件的背光面上。导电带用以电性连接上述至少两太阳能电池,且此导电带系部分配置于其中之一太阳能电池的光电转换元件的入光面上,并覆盖总线电极的上述至少两个线电极。
在本发明一或多个实施方式中,上述的无电极空间占总线电极的体积比例为约52%~72%。
在本发明一或多个实施方式中,上述的总线电极所在的区域区分为中央区域与边缘区域,边缘区域分别位于中央区域的相对两侧,位于中央区域的线电极较位于边缘区域的线电极密。
在本发明一或多个实施方式中,上述的总线电极所在的区域区分为中央区域与边缘区域,边缘区域分别位于中央区域的相对两侧,位于中央区域的线电极的线宽较位于边缘区域的线电极的线宽为宽。
在本发明一或多个实施方式中,上述的中央区域至少占总线电极的约一半体积。
在本发明一或多个实施方式中,上述的线电极的线宽大致一致。
在本发明一或多个实施方式中,上述的每一线电极的线宽均大于每一分支电极的线宽。
在本发明一或多个实施方式中,上述的每一线电极的线宽为约40μm~1mm。
在本发明一或多个实施方式中,上述的任两相邻的线电极的线距大致一致。
在本发明一或多个实施方式中,越靠近总线电极所在区域中央的线电极的线距越密。
在本发明一或多个实施方式中,上述的入光面电极还包含至少一带状电极,此带状电极排列于光电转换元件的入光面上,并与分支电极交错且电性连接,此带状电极的线宽实质等于总线电极的线宽。
在本发明一或多个实施方式中,上述的总线电极的数量为多个,这些总线电极分开排列于光电转换元件的入光面上。
在本发明一或多个实施方式中,上述的总线电极还包含至少一对端部电极。这对端部电极与两相对的线电极共同构成框形。
在本发明一或多个实施方式中,上述的每一线电极的线宽为约40μm~100μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





