[发明专利]用于硅基太阳能电池模块的双层抗反射涂层

权利要求书

1.具有双层抗反射涂层的硅晶片基太阳能电池，包括：

在晶片基硅太阳能电池的表面上的，其中所述表面在所述电池工作时面向光：

-含氢的硅钝化层，接着是

-氧化铌Nb_XO_Y层，

-折射率为约1.5的覆层。

2.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述含氢的硅钝化层为氢化氮化硅Si_XN_Y：H层。

3.根据权利要求1或2的太阳能电池，其中，所述含氢的硅钝化层的厚度为10-30nm。

4.根据权利要求1-3的太阳能电池，其中所述氧化铌主要包括Nb₂O₅。

5.根据权利要求1-4的太阳能电池，其中所述覆层包括玻璃或乙烯醋酸乙烯酯。

6.具有双层抗反射涂层的硅晶片基太阳能电池的制造方法，所述方法包括：

在晶片基硅太阳能电池的表面上沉积含氢的硅钝化层，其中所述表面在所述电池工作时面向光；

接着沉积氧化铌Nb_XO_Y层；

以及向所述氧化铌层上附着折射率为约1.5的覆层。

7.根据权利要求6的方法，其中，所述含氢的硅钝化层为氢化氮化硅Si_XN_Y：H层。

8.根据权利要求6和/或7的方法，其中所述氧化铌主要包括Nb₂O₅。

9.根据权利要求7的方法，其中，所述Si_XN_Y：H层是通过PECVD或通过反应溅射(PVD)由Si靶与N₂和/或NH₃沉积的。

10.根据权利要求6-9的方法，其中所述Nb₂O₅层是通过纯Nb靶或导电Nb₂O₅(x＜5)靶与O₂的反应溅射来沉积的。

11.根据权利要求6-10的方法，其中所述双层抗反射涂层的两个层是在一个单晶片多室溅射工具中顺序沉积的。

12.根据权利要求8-11的方法，其中所述Nb₂O₅层是在含氢气氛中沉积的。