[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

一源极；

一漏极，该漏极与该源极间隔设置；

一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极接触设置，所述半导体层位于所述源极与漏极之间的部分形成一沟道；

一第二绝缘层，所述源极通过所述第二绝缘层与所述漏极绝缘设置；以及

一栅极，该栅极通过一第一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；

其特征在于，所述源极包括一源极本体及一源极延伸部，所述漏极包括一漏极本体及一漏极延伸部，所述源极延伸部及漏极延伸部相互间隔设置且覆盖部分沟道，且所述源极延伸部及漏极延伸部的功函数与所述半导体层的功函数不相同，所述源极延伸部向所述半导体层垂直投影形成的投影为AB段，所述漏极延伸部向所述半导体层垂直投射形成的投影为CD段，所述栅极向所述半导体层垂直投射形成的投影为EF段，所述半导体层中沟道在平行于所述绝缘基板表面的方向的长度为L，且满足AB+CD+EF≧L，所述EF段的长度小于L，所述第二绝缘层的厚度为10纳米～40纳米，所述半导体层包括多个碳纳米管长线，所述半导体层的厚度为0.5纳米-5纳米。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极延伸部与所述源极本体为一体的结构。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极延伸部与所述漏极本体为一体的结构。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极延伸部及漏极延伸部在所述半导体层表面的投影与所述栅极在所述半导体层表面的投影至少部分重叠。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极延伸部与漏极延伸部的材料相同。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极延伸部及漏极延伸部的材料为铝、钛、钪、铪、钾、钠或锂。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极延伸部及漏极延 伸部的材料为镍、钼、铑、钌、钯、锑、钨、铼或铂。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管长线包括由多个首尾相连的碳纳米管束组成的束状结构或绞线结构。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述相邻的碳纳米管束之间通过范德华力紧密结合，每一碳纳米管束包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管为半导体性碳纳米管。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多个碳纳米管长线相互平行，且沿所述源极至漏极的方向排列。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层设置于所述栅极和半导体层之间。

13.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极本体及漏极本体设置于所述半导体层表面，所述源极本体及漏极本体通过所述第二绝缘层相互绝缘设置。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极延伸部及漏极延伸部设置于所述第二绝缘层远离所述半导体层的表面。