[发明专利]低功耗晶振电路有效
| 申请号： | 201310034695.0 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103095253A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 彭伟娣;谢亮;张文杰;金湘亮 | 申请（专利权）人： | 湘潭芯力特电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411104 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功耗 电路 | ||
1.一种低功耗晶振电路，包括晶振电路模块，其特征在于：在晶振电路模块中组成反相器的PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的栅端串联电容C1，晶振电路模块通过一大电阻R2连接一电流镜模块，电流镜模块提供一个比高电源低一个PMOS管阈值的电压给PMOS管Mp1的栅端。
2.如权利要求1所述的低功耗晶振电路，其特征在于：所述电流镜模块包括两个PMOS管Mp2、Mp3和两个NMOS管Mn2、Mn3以及电阻R3，PMOS管Mp3的漏端和栅端相接，自偏置产生的电流通过漏端与NMOS管Mn3的漏端相接，NMOS管Mn2与NMOS管Mn3的栅端相接镜像NMOS管Mn3的漏电流，NMOS管Mn3的漏端连接电阻R3确定唯一的电流值。
3.如权利要求1所述的低功耗晶振电路，其特征在于：在PMOS管Mp1和NMOS管Mn1的源端分别接入电阻R4和R5。
4.如权利要求1或2所述的低功耗晶振电路，其特征在于：在大电阻R2和电流镜模块之间接入缓冲模块，所述缓冲模块由PMOS管Mp4和NMOS管Mn4组成，NMOS管Mn4的栅端连接电流镜模块，由电流镜提供的偏置电压开启，PMOS管Mp4的漏端、栅端和Mn4的漏端相接，产生偏置电压提供给晶振电路模块。
5.如权利要求4所述的低功耗晶振电路，其特征在于：PMOS管Mp4和NMOS管Mn4的漏端接入滤波电容C2。
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